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101.
薄膜厚度对ZnO:Al透明导电膜性能的影响 总被引:12,自引:4,他引:8
铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 ,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为 2 .5 5× 1 0 - 3 Ω·cm和1 .89× 1 0 - 3 Ω·cm ,平均透射率达到了 80 %和 85 %。 相似文献
102.
103.
真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响。结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。 相似文献
104.
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120min,制备出高质量的Zn3N2粉末。X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788nm。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性。X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成。用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合。 相似文献
105.
106.
基于加卸载响应比理论的边坡动力稳定分析方法 总被引:2,自引:0,他引:2
将加卸载响应比(LURR)理论引入边坡动力稳定分析研究中,建立边坡在地震作用下的加卸载响应模型,通过对边坡动力加卸载响应规律的研究,提出以代表边坡系统整体响应的加卸载响应度(LURD)代替边坡稳定分析传统方法中的安全系数,将边坡的变形分析和稳定性评价有机结合,探讨边坡动力稳定评价的新方法,并给出边坡在动荷载作用下的稳定性评价问题的解答。以马家岩水库右岸边坡为例,采用所提出的新方法进行计算,并与拟静力法、有限单元法和Newmark滑块法的计算结果进行对比,验证所提出方法的合理性及正确性,证明新方法可同时进行变形和稳定分析,较传统的动力分析方法精度更高。 相似文献
107.
退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。 相似文献
108.
辐射状配电网的潮流计算 总被引:4,自引:0,他引:4
针对传统辐射状配电网线损理论计算的不足,提出了一种新的算法——前推法.考虑了无功功率和线路电压损失对线损的影响,并且利用了简便的配网节点、分支线编号原理,使得程序的实现更加高效、准确.此算法被成功地应用在配电网测试系统中,具有简单实用的特点. 相似文献
109.
110.