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采用密度泛函理论方法对铁卟啉催化氧化邻、对硝基取代芳烃(甲苯、乙苯、异丙苯)α-C-H键的反应进行研究,并将其与无硝基取代芳烃α-C-H键的氧化反应进行比较,重点考察铁卟啉催化氧化邻硝基取代芳烃和对硝基取代芳烃α-C-H键反应活性的差异,并探究影响反应活性的本质因素。通过计算取代芳烃α-C-H键的键解离能及铁卟啉催化氧化芳烃α-C-H键的反应活化能发现,由于硝基与苯环的共轭效应,对硝基取代芳烃α-C-H键的键解离能减小,铁卟啉高价金属氧化物氧化对硝基取代芳烃α-C-H键反应的活化能较低。邻硝基取代芳烃除共轭效应外还存在空间位阻效应,且空间位阻效应占主导作用。空间位阻效应使得邻硝基取代芳烃α-C-H键的键解离能增大,铁卟啉高价金属氧化物氧化邻硝基取代芳烃α-C-H键反应的活化能较高。对芳烃α-C-H键氧化反应的活化能进一步分析发现,过渡态结构中芳烃与铁卟啉高价金属氧化物之间的相互作用能相对较小,形变能是影响反应活化能的主要因素,且形变能主要来自于芳烃分子的形变。 相似文献
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采用Scheil方程和四探针法、霍尔效应技术、紫外-可见光吸收光谱以及XRD技术分别模拟和测试太阳能硅锭的杂质分布、电阻率、载流子浓度、带隙以及晶体结构,结果表明:若硅料中施主杂质原子浓度小于受主杂质的0.39倍,铸造的p型硅锭不会出现极性反转。由于极性相反杂质间的抵偿效应,在硅锭极性反转处形成p-n结区,少子寿命和体电阻率均达到最大值,且硅锭的晶体结构未发生改变,带隙比特征硅锭的带隙降低25.89%,对此段硅锭切片,可省略后续硅片的“磷扩散”过程。利用掺杂剂抵偿技术可制备高效率和低成本的晶硅太阳电池。 相似文献