基于薄膜技术的微型六维力／力矩传感器

介绍了利用薄膜技术制作的微型六维力/力矩传感器.提出了在传感器弹性体铝合金基体上磁控溅射80Ni20Cr薄膜电阻应变计的加工工艺,说明了工艺的实现步骤.实验研究了几种常用的绝缘层材料,并采用Al2O3作为绝缘层材料.通过改进薄膜制作掩模纠正了绝缘层失效的问题.说明了引线键合实现传感器微型化及系统集成.并给出六维力传感器的主要静态精度指标.     

KS型矿灯常见故障的分析及处理

对KS型矿灯常见故障进行了比较全面的分析,并给出了处理故障的步骤和方法.     

乳液聚合法制备聚合物/石墨烯复合材料研究进展

综述了近些年来使用乳液聚合法制备聚合物/石墨烯复合材料的国内外研究现状,详细阐述了制备聚合物/石墨烯复合材料的乳液聚合方法,总结了乳液聚合法中聚合物的种类和石墨烯的改性方法以及复合材料的性能改善,并对乳液聚合法制备聚合物/石墨烯复合材料的应用领域和研究方向进行了展望。     

“连续型”油气藏及其在全球的重要性：成藏、分布与评价

分析国内外各种油气藏勘探和研究现状,基于油气分布共性本质特征的认识,阐述"连续型"非常规圈闭油气藏内涵与成藏特征."连续型"油气藏指在大范围非常规储集体系中油气连续分布的非常规圈闭油气藏,其地质特征是:在盆地中心、斜坡等大面积"连续"分布,且局部富集;以大规模非常规储集层为主,非常规圈闭,储集空间大,圈闭边界模糊;自生自储为主;多为一次运移;主要靠扩散方式聚集,浮力作用受限;非达西渗流为主;流体分异差,饱和度差异较大,油、气、水与干层易共存,无统一油气水界面与压力系统;资源丰度较低,储量主要按井控区块计算;开采工艺特殊,需针对性技术.论述了湖盆中心砂质碎屑流成因及其"连续型"油藏、大型浅水三角洲低--特低孔渗及致密砂岩油气藏、煤层气以及泥页岩裂缝型油气藏等典型实例.图8表5参33     

镁锂合金表面水性SiO_2@PANI/VTMS涂层的防腐蚀性能

用γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)对纳米二氧化硅(SiO_2)表面进行修饰,再引入苯胺合成了化学键合的核壳型聚苯胺(PANI)接枝SiO_2(SiO_2@PANI)溶胶;经乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)原位包埋后得到可直接涂在镁锂合金(Mg-Li)表面的SiO_2@PANI/VTMS水性溶胶。使用红外光谱(FT-IR)、X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)等手段表征了SiO_2@PANI粒子的结构与形貌;测量极化曲线和电化学阻抗(EIS)表征了SiO_2@PANI/VTMS涂层对Mg-Li合金的防腐蚀性能;讨论了苯胺用量和VTMS用量对SiO_2@PANI的粒径、涂层疏水性以及防腐蚀性能的影响,给出了可能的防腐蚀机理。结果表明,m(An):m(TEOS)=7:100、m(VTMS):m(TEOS)=4:4的SiO_2@PANI/VTMS涂层对Mg-Li合金具有优异的防腐蚀性能,涂层水接触角高达145.5°,电化学阻抗值达到7.5×104Ω·cm~2,腐蚀电流密度仅为4.47×10-8A/cm2。     

轻型臂关节力矩传感器的设计

介绍了轻型臂智能关节力矩传感器的弹性体及信号调理电路设计，进行了传感器静态标定试验的研究，为改善传感器的动态响应特性，根据“逆模型”思想，采用最小二乘法、基于函数联接型神经网络法以及辅助变量法设计了力矩传感器的动态补偿器。实验结果表明，辅助变量法具有更好的补偿作用，设计的力矩传感器满足轻型臂系统的要求。     

改良神经元PID控制在机器人灵巧手驱动中的应用

机器人手指驱动系统是一类典型的高阶非线性、时变系统;关节的动态特性随着手指的负载变化而变化。使用常规PID控制很难满足手指精确位置控制的要求,而采用依据BPNN原理设计成的常规单神经元PID控制器又因学习速率低,收敛速度慢,控制效果不能令人满意。文中设计了一种改良的单神经元PID控制器,控制参数具有很好的在线自适应性,且收敛速度快。     

NAT重载技术在卫星通信IP业务中的应用

随着IP业务在卫星通信中的应用日益普及,卫星网络与地面网络互联互通已经成为必要。为了满足这种需求,并灵活配置,可以采用NAT重载技术提供较好的解决方案。本文探讨了NAT重载技术在卫星通信IP业务中的应用。     

超磁致伸缩作动器磁路优化设计

为改善磁路环境,提高超磁致伸缩材料(GMM)的工作性能,在分析超磁致伸缩作动器(GMA)工作原理及GMM特性的基础上提出以减小磁漏、增大磁场强度和提高磁场强度均匀性为设计原则,将GMM棒中轴线上的磁场强度作为评价标准.基于ansoft maxwell对磁路进行电磁学有限元分析,得出磁路中的关键部件导磁端盖和导磁片的结构参数对磁场强度大小和均匀性的影响规律,结合高斯磁通理论分析产生这种现象的原因,在此基础上对结构参数进行设计优化.实验结果显示结构参数优化后GMM棒中轴线上的最大磁场强由55.4 k A/m增大到70.35 k A/m,增幅为26.98%,磁场均匀率由44.22%增大到99.5%.研究表明:导磁端盖主要用来减小磁漏、提高磁场强度且过大或过小的直径和厚度都将会导致漏磁增多,U型导磁片主要用来改善磁路环境、提高磁场强度的均匀性.