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41.
报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级问匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mmX 0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和116%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了能性. 相似文献
42.
介绍了Windows95即插即用原理,详细分析了ISA即插即用适配器自动配置过程,同时用EPLD器件实现了在Windows95平台下具有即插即用功能的ISA适配器。 相似文献
43.
44.
45.
松辽盆地中生代地质事件节律与油气 总被引:4,自引:0,他引:4
松辽盆地是一中生代形成的伸展裂陷盆地。该盆地中生代地层中含有丰富的石油和煤炭资源源。 相似文献
46.
以麦秸、木材和环保阻燃无机胶黏剂为主要原料,通过麦秸和木材碎料均匀混合的方式,采用热压工艺制备麦秸/木材均质复合无机碎料板,研究了麦秸与木材的配比、施胶量、热压时间和热压温度对板材性能的影响,并通过X射线衍射仪、扫描电镜分析了其对板材性能的影响机制。结果表明,随着麦秸与木材配比减小,板材静曲强度(MOR)、弹性模量(MOE)和内结合强度(IB)逐渐增大,2h吸水厚度膨胀率(TS)逐渐减小,优选配比为m(麦秸)∶m(木材)=4∶6。随着施胶量的增大,板材的MOR、MOE先增大后减小,IB逐渐增大,TS逐渐减小。施胶量为63%时,板材的MOR、MOE分别达到最大值15.5 MPa、3 110 MPa,此时,IB、TS分别为0.47 MPa、5.5%。随着热压温度的升高和热压时间的延长,板材的MOR、MOE、IB逐渐增大,TS逐渐减小。热压温度和热压时间分别为100℃、30min时,MOR、MOE、IB分别达到最大值(16.8 MPa、3 350 MPa、0.56 MPa),TS达到最小值(3.5%)。优化制板工艺为m(麦秸)∶m(木材)=4∶6,施胶量63%,热压时间30min,热压温度100℃。 相似文献
47.
用水热法合成了一种新的配合物[Zn(phen)3].(ClO4)2,并用X-射线衍射分析、元素分析、红外光谱、紫外光谱及荧光光谱对其结构进行了表征。配合物的晶体结构属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为a=1.355 36(14)nm,b=2.559 3(3)nm,c=2.077 1(2)nm,β=109.04°,V=6.810 8(12)nm3,Z=8,Dc=1.570g.cm-3,μ=0.942 mm-1,F(000)=3 280。该配合物中心离子是一个典型的八面体配位构型。 相似文献
48.
邻菲咯啉锌(Ⅱ)配合物[Zn(phen)_3]·(ClO_4)_2的水热合成、晶体结构及光谱性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用水热法合成了一种新的配合物[Zn(phen)3].(ClO4)2,并用X-射线衍射分析、元素分析、红外光谱、紫外光谱及荧光光谱对其结构进行了表征。配合物的晶体结构属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为a=1.355 36(14)nm,b=2.559 3(3)nm,c=2.077 1(2)nm,β=109.04°,V=6.810 8(12)nm3,Z=8,Dc=1.570g.cm-3,μ=0.942 mm-1,F(000)=3 280。该配合物中心离子是一个典型的八面体配位构型。 相似文献
49.
电力通信技术的不断发展,对我国电力行业的整体发展起到了有力的推进作用,电力行业自动化与电力行业智能化水平正在稳步提升.所以,为了给用户提供更好的用户使用环境、电力输送环境以及电力运营环境,就必须在电力系统建设的过程中,尤其是在建构智能化电网的过程中,电力通讯将贯穿于各个环节之中,比如说:发电环节、用电环节、配电环节、变电环节和送电环节,以完成安全、稳定的电能输送目标,实现交互式智能化电网建设的要求. 相似文献
50.
微机电系统(MEMS)封装残余应力是在封装工艺过程中芯片上产生的残余应力,它对于MEMS器件的热稳定性和长期贮存稳定性有着十分重大的影响,故而对MEMS封装残余应力的高精确度测量有利于封装应力的研究。由于封装残余应力十分微小,因此无法利用目前的测量手段直接测量封装应力,本文针对这个问题提出了一种基于应力放大结构和拉曼光谱法的封装应力测量方法,可以测量出MEMS器件中封装应力的平均水平。基于理论分析建立了原始封装模型与应力放大结构之间的放大关系,并提出应力放大结构的设计原则。接着采用3D有限元(FEM)仿真对一款高精确度MEMS微加速度计的封装应力测量进行了分析,其结果与理论分析具有很高吻合度。最后,针对该微加速度计的封装应力测量,成功制作了应力放大结构的芯片样片,并进行封装,随后拉曼光谱法被用于测量样片中的最大应力,进而计算出待测微加速度计中平均封装应力大小。实验结果与仿真分析具有很好的吻合度,证明本文所提出的测量方法具有相当的可靠性。 相似文献