埋地钢质管道腐蚀环境检测与评价方法探讨

分析了土壤腐蚀性的主要影响因素.介绍了埋地钢质管道周围土壤腐蚀环境的现场检测内容、检测方法与评价标准.指出影响土壤腐蚀性的因素众多,影响途径或作用机理非常复杂,评价土壤腐蚀性时需综合考虑各种影响因素.对国内外腐蚀环境的综合评价方法进行介绍,指出我国在土壤腐蚀性综合评价方面虽开展了大量的科研工作,取得了一些初步成果,但目前尚无一套成熟的方法.     

含B闪锌矿三元系半导体BxIn1-xP和BxGa1-xP带隙理论预测

利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似 (GGA) 处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b _Eg (Γ)=4.32eV,b_Eg(X) =1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b _Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.     

基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器

实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.     

磨粒有序排布曲面砂轮设计及磨削性能实验研究

提出一种曲面砂轮表面磨粒有序化排布的设计方法,制备磨粒有序排布和无序排布的2种曲面砂轮.通过磨削实验,从磨削力、砂轮磨损及工件加工形状误差等3个方面对比研究.结果表明:在整个磨削过程中,磨粒有序排布的曲面砂轮的磨削力总体上小于磨粒无序排布的曲面砂轮的磨削力.磨粒有序排布曲面砂轮的磨粒磨损一致性优于无序排布曲面砂轮的.整...     

煅烧温度对微米级NaYF4：Eu^3＋六棱柱微结构及荧光性能的影响

以EDTA为络合剂,采用水热法一步合成了六方相NaYF4：Eu^3＋ 六角微米棱柱,晶粒大小均一,长度为2—3μm,直径为500nm。利用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、荧光光谱以及透射电子显微镜（TEM）等手段对不同温度煅烧后的产物的物相结构、微观形貌、荧光性能和掺杂状态等进行了分析,结果表明,煅烧温度对NaYF4：Eu^3＋的晶体结构影响不大,仍为六方相晶型,但对晶粒形态和形貌有显著影响,改善了Eu^3＋在基质中的掺杂状态及NaYF4：Eu^3＋的荧光性能,其中在300℃下煅烧,样品仍能保持稳定的六角棱柱形状,可获得最佳的荧光性能。在395nm光激发下,NaYF4：Eu^3＋样品显示出较强的橙色（590nm）和红色（615nm）发光,分别来自于Eu^3＋离子^5D0→^7F1和^5Dc→^7F2的跃迁．     

纳米多孔硅复合材料爆炸反应的实验与理论研究

纳米结构多孔硅具有极高的孔隙率和比表面积,在其孔隙内掺入硝酸盐组分形成一种可发生爆炸反应的复合材料.实验表明①多孔硅的比表面积越高,与相关组分的接触面积越大,爆炸越迅猛;②新鲜制备的多孔硅较易发生爆炸,经过存放后需要更高的触发能量才能发生爆炸;③多孔硅-硝酸盐复合材料的爆炸过程与硝酸盐的种类有关,在实验条件下,掺碱金属硝酸盐的复合材料不发生爆炸,而掺镧系金属硝酸盐的复合材料可以发生爆炸;④在镧系硝酸盐中,硝酸钆和硝酸镧最为敏感,在滴加较低浓度时就发生爆炸,而硝酸铒需要在滴加较高浓度时才会发生爆炸.我们依据已有的硅氢加成反应和过渡金属催化炸药分解反应,首次提出了多孔硅-硝酸盐复合材料的微观结构模型,使用这种模型可以合理地解释实验中的爆炸现象.     

新场气田分层压裂工艺技术应用评价

新场气田是川西多层系致密砂岩气藏的典型代表,从浅层的350m至深层的5000m均有活跃的天然气显示,其中蓬莱镇组的含气层多达25层,沙溪庙组的含气层也有10层.一般单层砂体产能有限,为提高单井产量和气藏采气速度,同时也为减少作业次数和降低井下作业费用,需要进行分层压裂改造.文章通过对新场气田小层分布特征和地应力特征的分析,提出油管和油套管环空分注分压是适合该气田的分层压裂工艺类型,建立了分层压裂选井选层标准,开展了12口井的现场试验.通过施工参数分析和增产效果评价表明,油管和油套管环空分注分压工艺不仅保证了分层压裂的施工成功率高、应用简便,而且增产效果显著,为新场气田多层系气藏整体压裂开发打下了坚实的技术基础.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析

利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果.最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考.     

GAL器件在51单片机扩展中的应用

给出了GAL器件作为译码芯片和完成基本逻辑关系的方法，运用此方法优化了外部地址空间，减少了逻辑芯片的使用数量，减小了电路板空间，降低了功耗和成本，简化了电路设计。     

三种不同外环反馈方式在PWM整流器中的比较

首先介绍了三相电压型脉宽调制(PWM)整流器在d,q坐标系下的数学模型。为提高整流器的控制性能,提出以电容储能为外环控制目标的反馈控制策略。针对3种不同的外环反馈控制方式进行理论分析,设计方法介绍和对比实验。结果表明,能量-电流双闭环在响应的快速性和稳定性上最好。