新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.

摘要：

     

中距离夜视激光照明器的设计

设计了一种基于MIC29302稳压器的功率可调式激光器驱动电源,实现了对激光器的直接强度调制。根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计;同时,给出了激光器的保护电路和温度控制电路,较大地改进了半导体激光器电源的可靠性,提高了半导体激光器的输出稳定性,延长了激光器的使用寿命。最后,给出了详细的测试数据,测试结果证明,该驱动电源有具体的指标和良好的性能。     

UWB无线通信关键技术及应用分析

UWB是目前最理想的低功耗、高带宽短距离无线通信技术。文中通过研究UWB无线通信的关键技术,指出其性能优点及局限性,阐明了UWB技术在军用和民用方面的应用前景。     

InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.     

执行力决定企业兴衰

一个有卓越执行力的企业应该包括三个方面：组织结构灵活、强而有力的领导和循序渐进地占有市场     

高氯酸铵脱除介孔氧化硅有机模板剂

采用AP-HNO₃组成的体系在低温(100 ℃左右)下快速完全地分解介孔氧化硅材料(SBA-15)的模板剂,得到开放孔道的SBA-15(N-SBA-15)。透射电镜(TEM)照片显示,N-SBA-15具有高度有序的二维六方结构(p6mm)。与焙烧产物(C-SBA-15)的孔容(1.03 cm³·g-1)和孔径(6.5 nm)相比,N-SBA-15具有较大的孔容(1.40 cm³·g-1)和孔径(10.4 nm)。小角XRD谱图表明N-SBA-15没有明显的骨架收缩,红外光谱(FT-IR)显示其孔道表面存在大量硅羟基。与C-SBA-15相比,N-SBA-15只有很少的微孔孔容。因此,AP氧化是一种条件温和的获取高质量多孔氧化硅阵列材料的有效手段,它也适用于多种具有不同对称性介孔氧化硅(如Fm3m,Im3m,Ia3d等结构)模板剂的脱除。      

TATB原位包覆HMX的研究

为提高TATB对HMX的钝化效果,利用声化学合成方法,在HMX颗粒表面原位生成了TATB,制备了HMX/TATB复合物。并与混合法制备的样品进行了比较。SEM观察表明,原位包覆法TATB对HMX的包覆效果比混合法的包覆效果更好。DSC分析表明,原位包覆法样品中HMX的热分解温度更高。机械感度测试结果表明,在TATB含量相当的情况下,原位包覆法样品具有更低的机械感度,在TATB含量为10%时,撞击感度为24%,摩擦感度为0%。     

PTFE/Al反应多层膜的制备及力学性能

以铝(Al)为可燃物质,聚四氟乙烯(PTFE)为氧化剂,利用射频磁控溅射法制备了不同厚度,交替沉积的PTFE/Al反应多层膜。采用原子力显微镜(AFM)、X-射线衍射仪(XRD)研究了溅射功率对薄膜表面形貌的影响规律,得到了PTFE/Al反应多层膜适宜的制备工艺,利用纳米压痕仪研究了PTFE/Al反应多层膜的力学性能。结果表明,当射频溅射功率分别为50 W和150 W时,制得的PTFE薄膜和Al薄膜的平均粗糙度与均方根粗糙度均较低。当PTFE/Al反应多层膜总厚度约为300 nm时,与相同厚度的纯PTFE膜和纯Al膜相比,PTFE/Al反应多层膜具有较高的硬度和弹性模量,分别为5.8 GPa和120.0 GPa。     

火焰法制备Al/MoO3纳米片阵列的影响因素

亚稳态分子间复合物(MIC)阵列由于具有高能量密度、小尺寸条件下能自持反应的优点,在集成化火工品方面具有潜在的应用价值。采用火焰法在硅基底上原位制备了高度有序的MoO₃纳米片阵列,探讨了基底材料、纳米阵列生长时间、火焰源因素对生成MoO₃形貌的影响,得到了 MoO₃纳米片阵列的优化制备工艺条件: 以硅片为基底,生长时间为5 min和甲烷为火焰源。制备的纳米片厚度为100~200 nm,宽度约5 μm,长度达到十几个微米。分别采用磁控溅射和热蒸发在MoO₃纳米片阵列表面镀铝得到Al/MoO₃ MIC阵列,在铝膜厚度相同的情况下,采用热蒸发镀铝方式优于磁控溅射。热蒸发铝膜厚度为900 nm时,所获得的Al/MoO₃ MIC阵列具有较高的放热量,达到3276 J·g-1。     

太阳能光伏发电逆变系统错相控制技术的研究

太阳能作为当今社会理想环保的新能源之一,己经得到人类越来越广泛的应用。文中对太阳能发电系统做了拓扑和算法上的阐述。系统的硬件电路采用两级结构,前级为LLC谐振电路,后级为全桥逆变电路,采用错相控制技术并与传统的控制技术进行比较。系统的控制是采用英飞凌XCI64系列16位单片机芯片的控制方案。