关于我国商业运载火箭发展的思考

<正>近年来,我国出台了一系列支持和鼓励发展商业航天的政策。特别是2014年,国务院在《关于创新重点领域投融资机制鼓励社会投资的指导意见》中提到:鼓励民间资本发射和运营商业遥感卫星。国内政策的松绑,加上国际上美国太空探索技术公司(SpaceX)等明星企业的示范效应,使得在短     

影响流水线生产粘土型砂性能的因素

稳定地保证粘土型砂质量是大批量粘土砂铸造生产中的关键问题之一。本文从江铃铸造厂某造型生产线上现有的旧砂和型砂性能的测试入手,通过正交实验研究对比分析了型砂组分、残留芯砂含量等各因素对粘土型砂性能的影响,就目前该生产线上铸件的常见缺陷与旧砂和型砂的质量关系进行了讨论,提出了改进型砂质量和减少铸件缺陷的建议。     

高速动力头齿轮副啮合特性分析及微观齿廓优化

基于Romax Designer建立由‘齿轮-轴-轴承-箱体’组成的高速动力头齿轮副啮合性能分析模型,从系统的角度开展啮合特性仿真分析、微观齿廓优化等。结果表明:由于系统变形、间隙、制造和加工误差使得齿轮副啮合性能较差;通过提出的轮齿优化方式和优化量可以有效改善轮齿载荷分布,降低啮合冲击,增强齿面抗胶合能力,提高动力头寿命。研究对松软煤层钻机用高速动力头的设计及动态特性优化具有重要指导意义。     

纳米颗粒在水基础液中团聚机理及控制

分析了纳米颗粒在水基础液中的团聚机理,指出颗粒团聚是由范德华作用能、双电层静电作用能、溶剂化膜作用能、聚合物吸附层空间排斥作用能等共同作用的结果。最后依据团聚机理及分散过程,提出了相应的分散措施。     

不同成分配比的Al-Mg_2Si复合涂层的腐蚀磨损性能

研究了Al含量对Al-Mg_2Si复合涂层耐磨蚀性能的影响。采用电化学测试仪、腐蚀-磨损试验机观察Al含量为80%、60%、40%和20%的Al-Mg_2Si涂层的开路电位和摩擦因数,并采用扫描电镜(SEM)和超景深三维显微镜表征涂层磨痕特征。结果表明,Al-Mg_2Si涂层的电位较AZ31B镁合金基体正移,且Al含量越低电位正移越明显。Al含量为20%的Al-Mg_2Si涂层电位正移最多,正移了0.528 8V,腐蚀电流密度最小,为3.298×10~(-3 )mA/cm~2。Al加入量越少,涂层的磨损率和摩擦因数越小,当Al含量为20%时两者均达到最小值,分别为4.27×10~(-3 )mm~3/(N獉mm)和0.78。     

Mg_3Sb_2增强镁基复合材料合成机制研究

采用原位反应法制备不同Mg_3Sb_2体积分数的镁基复合材料。计算了不同温度下反应的吉布斯自由能和不同Sb含量的绝热温度,对复合材料进行X射线衍射(XRD)和差示扫描量热法(DSC)的检测。结果表明,原位反应方法可制备不同Mg_3Sb_2体积分数的镁基复合材料;Mg和Sb结合生成Mg_3Sb_2的反应能自发进行;Sb含量分别为7.7%、15.4%、23.1%时,Mg-Sb合成反应不能自蔓延发生,金属间化合物Mg_3Sb_2的合成温度分别为544.58、621.84和666.14℃。     

小孔节流静压止推轴承超音速现象分析

小孔节流空气静压轴承固定气膜厚度时提高供气压力,在某些情况下节流孔的周围会发生压力突降的现象,这时可能会在节流孔附近因激波的出现而产生超音速区.本文针对这种现象,结合FLUENT软件进行分析,指出此时气膜内的压力分布,速度分布和马赫数分布,并对其分布位置进行比较和分析.从熵增角度证明小激波的存在性并且确定其出现位置.为完善静压气体轴承边界层理论提供一定的依据.     

水基纳米碳化钛流体稳定性分析

通过两步法制备出分散稳定性能好的水基碳化钛流体,采用分散稳定性分析、纳米颗粒表征来分析其状态。分散稳定性分析探讨了分散剂质量分数及pH值对水基流体稳定性的影响,纳米颗粒表征探讨了制备后流体中碳化钛晶相成分变化、颗粒表面分散剂吸附情况及颗粒存在形式。     

基于分子碰撞理论的静压导轨气膜内部微振动现象的分析

静压导轨气膜微振动已经成为制约气浮支撑发展的重大问题。为证实气膜内部的微振动本质是高压气体在流动过程中与支撑底面、节流器壁面和气浮块壁面发生碰撞,导致气膜区域内表面受到变化的冲量,形成不规律的水平和垂直方向冲击力,使得气浮块发生基于系统固有频率及其倍频的微振动。通过理论分析,建立描述气膜支撑区动力学特性的振动模型,并进行了仿真分析和实验对比验证,证实了气膜内部微振动的形成机制。分析结果表明:有气腔与无气腔的节流方式都会产生气膜微振动;进气孔直径相同情况下,有气腔节流方式下的振动大于无气腔节流方式下的振动;振动峰值的频率点基本一致,其频域曲线所显示的振动规律也基本相同。     

电子系统热管理设计与验证中的结温估算与测量

针对电子系统容易出现的热失效问题,论述在电子系统的热管理设计与验证中,对半导体器件结温的估算和测量方法。通过测量半导体器件内部二极管参数,来绘制二极管正向压降与其温度关系曲线,进而求解出器件的结温估算值,以指导热管理设计;采用热分布测量和极值测量来计算器件的实际结温,对热管理设计进行评估、验证。使用所述估算和测量方法,可到达±5%精确度的半导体结温测算,能够有效评估器件在特定电子系统中的热可靠性,为实现可靠热管理提供可信的数据分析基础。