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张瑶 李卫东 张学尧 毛泽普 马秋梅 马想 王亮亮 王纪科 邓子艳 尤郑昀 文硕频 边渐鸣 孙永昭 孙胜森 朱永生 刘怀民 刘春秀 伍灵慧 李海波 李刚 张长春 张令 张建勇 邹佳恒 邱进发 何康林 何苗 季晓斌 杨明 苑长征 冒亚军 俞国威 莫晓虎 袁野 曹国富 黄彬 谢宇广 臧石磊 《核电子学与探测技术》2007,27(4):665-669
介绍使用面向对象技术和C 语言开发的BESⅢ主漂移室径迹重建软件包MdcPatRec.它的主要任务是对主漂移室内带电径迹进行寻找,并精确地重建其动量和位置.本文将详细介绍重建软件包的设计和实现,并利用模拟数据给出重建软件的主要物理和系统性能. 相似文献
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为了对间隙放电在串补平台设备上造成的快速暂态过电压进行评估,以部分单元等效电路(partial element equivalent circuit,PEEC)为基础,提出了含有集中元件支路的考虑全部段间电磁耦合的复杂多导体系统建模方法.此外还对含有非线性元件的复杂多导体系统状态方程的时域求解方法进行了深入研究.典型算例下与EMTP计算结果的对比表明,该文采用的方法计算结果准确,此外与传统方法相比对于紧密耦合的复杂多导体系统(如串补装置)电磁暂态过程的仿真具有更好的适用性. 相似文献
83.
84.
目的研究超声预处理和湿度控制技术对香蕉干燥特性的影响,以缩短香蕉的干燥时间、减少色泽劣变。方法首先在超声波发生器功率为300 W,温度为30℃条件下对厚度为(5.0±0.1)mm的香蕉片进行单频(20,40,60 kHz)预处理,每个频率分3组,处理时间为20,30和40 min,得到的最佳超声预处理时间为30 min。再分别进行单频(20,40,60 kHz)、双频((20+40),(20+60),(40+60)kHz)和三频((20+40+60)kHz)的处理,在65℃条件下进行恒温热风干燥;在此基础上进行干燥介质相对湿度为5%,10%,15%的热风干燥。结果在超声波预处理中,单频(60 kHz)、双频((40+60)kHz)和三频((20+40+60)kHz)的超声波预处理对温湿度控制热风干燥速率的作用效果最佳,在同一干燥介质相对湿度条件下,干燥速率、复水率以及维生素C含量从大到小依次为三频((20+40+60)kHz)、双频((40+60)kHz)、单频(60 kHz)、空白对照组;在相同的超声波预处理条件下,干燥介质相对湿度越小,干燥速率和复水率越高,而维生素C含量越低。结论探索了不同相对湿度的干燥介质对超声预处理后的香蕉干燥特性的影响,为选择合适的干燥工艺提供了理论依据。 相似文献
85.
"绿色”高效Al -Si合金变质剂--Al-P中间合金 总被引:27,自引:0,他引:27
为了解决Al-Si变质过程中的环境污染问题,用熔铸法制备了一种高效,低价格且适于产业化生产的Al-Si合金变质剂-Al-P中间合金,该中间合金w(P)可达到2.0%-5.5%,对共晶和过共晶(含Si量12%-24%)成分的Al-Si合金进行变质,加入0.3%-0.8%的Al-3P中间合金即得良好的变质效果,使其初晶Si数量明显增多,平均晶粒尺寸分别下降到30μm和50μm以下,该中间合金使用工艺简便,可在低温下加,而且无污染,无反应渣,变质效果长效稳定,易储存、使用综合成低,克服了当前变质的缺点,可以实现Al-Si合金的“绿色”变质,有着广阔的应用前景。 相似文献
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87.
超声喷雾热解法生长氧化锌同质p-n结及其电致发光性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100) 衬底上生长ZnO同质p-n结. 以醋酸锌水溶液为前驱体, 分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源, 通过氮--铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜, 以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结. 采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件, 在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象. 相似文献
88.
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究. 相似文献
89.
本研究采用平面硅与纳米硅分别与旋涂法生长的[6,6]-苯基C61-丁酸甲酯(PCBM)形成有机–无机杂化异质结,对比研究了两种异质结界面电学特性的差异。结果显示,平面Si/PCBM和纳米Si/PCBM两种异质结都表现出明显的整流特性,但相对于平面Si/PCBM异质结,纳米Si/PCBM异质结有较大的导通电压和较小的电流密度。为了深入研究导致这种差异的相关物理机制,通过阻抗谱(IS)表征技术进一步研究了两种异质结因界面变化而产生的电阻、电容的变化趋势。阻抗测试分析表明,Si/PCBM异质结界面存在的大量缺陷致使寄生效应进一步增大,影响了器件中电荷的输运。 相似文献
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