Boole函数的线性可分性(Ⅰ)——n-维超立方体的基本理论

Boole函数的线性可分性是前向人工神经网络理论中的一个比较困难的问题之一。目前仅对变量数n≤7的某些问题给予讨论。当n≥8时,尚无判别Boole函数线性可分的一般准则,更无线性可分Boole函数的计数公式。基于此,本文详细地研究了与Boole函数线性可分性有关的n-维超立方体的基本理论,包括n-维超立方体的基本性质、超立方体中的平行线、子超立方体的计数等,并给出了构造n-维超立方体图的一种新方法。     

Control of peak sidelobe level in adaptive arrays

Adaptive beamforming techniques are now widely used to reject interference (jammer/clutter) signals in radar, communication, and sonar applications. In adaptive arrays using the sample matrix inversion (SMI) algorithm, inadequate estimation of the covariance matrix results in adaptive antenna patterns with high sidelobes and distorted mainbeams. In this paper, a method is proposed to precisely control the peak (rather than average) sidelobe level of adaptive array patterns. The proposed method is also generalized to adaptive array antennas with moderate bandwidth and large random amplitude and phase errors. Theoretical analysis and simulation results are provided to illustrate the performance of the method proposed     

18Ni（350）马氏体时效钢的磁滞特性

采用双时效处理工艺研究了热轧１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢的磁滞特性。结果表明，８２０℃·　ｈＡＣ＋（５９－６１０）·。ｈＡＣ＋５１０℃·。ｈＡＣ和８２０℃·　ｈＡＣ＋（６９０－７１０℃）·３ｈＡＣ＋１５０℃·３ｈＡＣ处理具有较高的磁滞性能，在对大量数据进行二元线性回归的基础上得出了１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢磁滞特性的分段关系式。     

钨基催化剂上钨的分散性和加氢脱氮性能

采用浸渍法和干混法制备了一系列负载钨的层柱分子筛催化剂 (W /Al-CLM)和对比用的负载钨的γ -Al2 O3催化剂 (W/γ -Al2 O3 )。研究了W/Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂表面上钨的分散情况 ,测定了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的吡啶加氢脱氮微反活性 ,比较了W /Al-CLM和W /γ -Al2 O3 两种催化剂的钨的分散性和加氢脱氮活性 ,分析了规律性。氨水处理可以溶去催化剂上所有晶相钨物种 ,改善了钨物种在载体表面上的分散性 ,催化剂上不溶于氨水并呈单层分散的表面钨物种是加氢脱氮活性中心。     

离子交换铒掺杂磷酸盐玻璃波导特性研究

给出有关离子交换铒掺杂磷酸盐玻璃波导的制备以及发光特性的基本结果。用Ag+ Na+ 离子交换在含有适量氧化钠的铒掺杂磷酸盐玻璃上很容易实现低损耗平面波导 ,并且离子交换过程对这种玻璃的光谱特性没有影响。     

一个可切实服务于运营商的移动无线因特网

本文在简单介绍了移动IP及其路由优化，无线局域网（WLAN）和GPRS的基础上，提出了一个新的利用移动IP来融合WLAN和GPRS的移动无线因特网的网络结构，详细论述了其多连接的路由过程，平滑垂直切换，AAA，并做了简要的性能分析。     

罗茨真空泵机组抽气速率分析

罗茨真空泵机组因配用前级泵不同和所处工作压力范围的差异，相应其抽气速率变化较大，设计中应根据具体工况条件及真空系统使用要求，力求使罗茨真空泵机组体现好的适用性和经济性。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

基于IP核复用技术的SoC设计

概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类.