高精度测向辅助的三星时差定位算法

针对传统的三星时差无源定位算法不能求解辐射源高程这一问题,提出了以高精度测向作为辅助对辐射源进行定位的算法。从该算法的定位原理入手,建立了其定位模型并分析了其定位误差;同时提出采用UKF算法对多次测量的结果进行处理以提高定位的精度;最后对该算法进行了计算机仿真。研究表明,该算法不需要进行高程假设即可实现对辐射源的快速高精度无源定位。     

基于多特征的语音端点检测技术研究

针对传统的端点检测技术,如基于能量、过零率等方法,在低信噪比噪声环境下检测性能急剧下降的问题,根据汉语语音发音的特点,提出了一种新的检测方法,该方法结合了Mel频率倒谱系数（MFCC）和能量、过零率、频带方差等多个语音特征。基于多特征融合的模糊判决二次搜索端点检测方法,能有效减少清音、拖尾音的截断,提高端点检测的精度,并对噪声环境具有一定的自适应性。实验结果表明,即使在低信噪比条件下,该方法仍具有较高的准确性。     

熔石英玻璃和白宝石晶体激光损伤的研究

研究不同实验条件对熔石英和白宝石激光损伤阈值和损伤形貌的影响 ,获得了一些有用的实验结果 ,对相应的损伤机理作了分析。同时对熔石英的抗激光加固也进行了研究。结果表明 ,激光预辐照和酸侵蚀处理使熔石英的激光损伤阈值分别提高 70 %和 80 %以上     

一种具有连续跳数值的三维DV-Hop改进算法

设计精确的定位算法是无线传感器网络（Wireless Sensor Networks,WSNs）的研究热点.针对DV-Hop（Distance Vector-Hop）定位算法中节点间距离估计误差较大导致定位不精确的问题,提出了一种具有连续跳数值的三维DV-Hop改进算法.探究了邻居节点间的距离与相应节点位置和通信半径构成的相交球体体积之间的关系,提出了连续跳数值的定义,并通过参数修正给出了其计算方法.通过仿真实验探究了网络环境对参数的影响并确定了参数的取值,使用连续跳数值代替DV-Hop算法中的跳数来降低节点间距离估计误差.仿真实验表明,该算法在不增加算法复杂度以及额外硬件的情况下有效地降低了定位误差.     

激光烧结Si／Fe混合粉末材料的温度场有限元模拟

利用ANSYS工具建立了选择性激光烧结热电功能材料β-FeSi2的三维瞬态温度场有限元模型,模型中考虑了混合材料热物性参数随温度与孔隙率的变化和材料相变过程对温度场的影响。系统分析了选择性激光烧结二元粉末内部温度场随时间和空间的变化规律,通过该有限元模型可以分析二元粉末激光烧结过程中激光热能在粉床内部的传输规律。模拟结果表明,随烧结深度增加,粉床内部温度和温度梯度迅速衰减,粉床内部温度场在深度方向呈漏斗状梯度分布,粉层内部热影响区域最深的位置滞后于激光束中心。在已烧结区域,粉层内部存在一个均匀分布的高温体积区间。对此粉层区域温度的研究将为实验中控制烧结材料相变过程与性能提供依据。     

一种基于JPEG压缩图像的信息隐藏方法

描述了一种基于JPEG图像的信息隐藏新方法.该方法用I/I矩阵在8×8子块DCT域的2m比特中低频量化系数的最低位中,最多修改[m/2]比特数据,即可嵌入m比特信息,有较高的数据嵌入率及较好隐蔽性.该方法已在计算机上进行了模拟实验,并获得了较好的结果.     

高机动雷达机电主控箱电磁兼容研究

结合科研实践,介绍了高机动雷达机电系统电磁干扰的主要特征和危害,以及通过对机电主控箱进行电磁屏蔽的改善设计,从而保证机电系统各项测试指标满足电磁兼容性的要求,达到消除外部电磁干扰对机电系统可靠性的影响。文中提出了解决电磁兼容问题应该以预防为主的观点,同时提出了电磁兼容性是一项系统工程,应在装备研制、生产、使用和维护的各阶段都要予以充分的重视。     

短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

同轴探头测量材料电磁参数变频率法的改进

本文针对我们实验室早期提出的用开口同轴探头变频率法同时测量雷达吸波材料的介电常数和磁导率技术^(6,7)在实用中遇到的问题,提出应用线性插值技术来修正电磁参数随频率的变化,使用拟合技术来克服测得反射系数的随机误差对电磁参数提取的影响,建立多频率点上电磁参数的矛盾方程方法来减少参数提取时所产生的伪根等改进技术,从而有效地克服原方法所存在的问题,使之能够用于实际测量。并通过对具体样品的测量证明了改进技术的合理性及有效性。     

微波半导体功率器件及其应用(第二部分)

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。