全文获取类型
收费全文 | 36102篇 |
免费 | 4063篇 |
国内免费 | 3124篇 |
专业分类
电工技术 | 3108篇 |
综合类 | 4000篇 |
化学工业 | 4132篇 |
金属工艺 | 2890篇 |
机械仪表 | 2621篇 |
建筑科学 | 2826篇 |
矿业工程 | 1455篇 |
能源动力 | 835篇 |
轻工业 | 4041篇 |
水利工程 | 1510篇 |
石油天然气 | 1273篇 |
武器工业 | 522篇 |
无线电 | 3502篇 |
一般工业技术 | 3267篇 |
冶金工业 | 1585篇 |
原子能技术 | 730篇 |
自动化技术 | 4992篇 |
出版年
2024年 | 234篇 |
2023年 | 553篇 |
2022年 | 1436篇 |
2021年 | 1733篇 |
2020年 | 1284篇 |
2019年 | 888篇 |
2018年 | 915篇 |
2017年 | 1156篇 |
2016年 | 940篇 |
2015年 | 1626篇 |
2014年 | 2083篇 |
2013年 | 2420篇 |
2012年 | 2998篇 |
2011年 | 3060篇 |
2010年 | 3019篇 |
2009年 | 2869篇 |
2008年 | 2983篇 |
2007年 | 2943篇 |
2006年 | 2435篇 |
2005年 | 2024篇 |
2004年 | 1505篇 |
2003年 | 919篇 |
2002年 | 950篇 |
2001年 | 920篇 |
2000年 | 699篇 |
1999年 | 237篇 |
1998年 | 102篇 |
1997年 | 52篇 |
1996年 | 38篇 |
1995年 | 38篇 |
1994年 | 33篇 |
1993年 | 28篇 |
1992年 | 28篇 |
1991年 | 19篇 |
1990年 | 18篇 |
1989年 | 21篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 12篇 |
1980年 | 14篇 |
1979年 | 7篇 |
1976年 | 1篇 |
1959年 | 5篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
变异函数在进间砂体预测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
应用变异函数探讨了砂体的定量预测问题。通过对北二东密井网试验区不同类型砂体,不同井网密和岩厚度的预测,检验了此方法的精度(为70%左右),在原方法的基础上,通过对预报精度的分析并结合精度地质研究进一步完善了该方法,提出二次建模法并应用于北二东西块聚驱井的砂岩厚度预测中,预测精度可提高5%以上,从而说明应用变异函数研究砂体的定量预测问题具有可借鉴性,可以为今后新井调整厚度的预测及砂体描述提供依据。 相似文献
72.
73.
74.
75.
脉冲功率器件直流和动态热特性探测 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题,应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布,峰值结温,热阻及其变化规律。 相似文献
76.
77.
目的制备新生牛肝活性肽并评价其安全性。方法采用膜法分离制备新生牛肝活性肽。将3批制品于37~40℃,75%相对湿度条件下存放3个月,以多肽含量为指标观察其稳定性,并进行急性毒性试验、小鼠骨髓细胞微核试验、Ames试验、小鼠精子畸形试验和大鼠喂养试验。结果制备的3批新生牛肝活性肽存放3个月后,多肽含量无明显下降,质量稳定。小鼠和大鼠经口灌人大于20.0g/kg体重的新生牛肝活性肽,均无急性毒性。3种致突变试验均未显示出致突变性,大鼠喂养试验各项指标均未见明显毒性。结论新生牛肝活性肽未表现出明显毒性。 相似文献
78.
单站被动定位及光电实现 总被引:1,自引:0,他引:1
目的 光电技术实现的单站被动定位具有重要的军事价值 ,本文介绍了其原理、方法和发展 .方法 本文中 ,单站被动定位分为激光和红外两部分内容讨论 .结果 明确了采用激光和红外技术的单站被动定位工作原理和存在的技术难点 ,同时 ,指出了被动定位的研究动向 .结论 文章表明单站被动定位及光电实现值得进一步研究 . 相似文献
79.
80.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献