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991.
992.
为了有效地补偿激光二极管(LD)侧向抽运1000 Hz重复率电光调QNd:YAG激光器棒状增益介质内存在的热致双折射损耗,设计了一种新颖的双调Q晶体开关复合谐振腔结构。实验结果表明,设计的双调Q晶体开关结构Nd:YAG激光器输出激光脉冲能量比单调Q晶体开关结构的非补偿腔输出能量提高了56%,当侧面抽运半导体激光器输出功率达到450 W时,激光输出达到30 mJ/pulse,输出光束偏振度优于10:1,激光脉冲宽度约14 ns。并获得6.7%的光一光转换效率。通过对双调Q开光激光谐振腔进行建模,并用求解速率方程对其特性进行理论分析,所得的计算结果与实验结果基本吻合。 相似文献
993.
994.
995.
996.
为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求,研究并开发用于非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)阵列的低电阻电极非常关键。本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极,设计并制作了底栅结构的a-IGZO TFT器件。实验发现,具有单层银源漏电极的器件电学特性较差,这是因为银与a-IGZO之间不能形成良好的欧姆接触。另一方面,通过增加钛中间层而形成的Ag/Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与a-IGZO形成较好的接触状态。最终制备的以Ag/Ti为源漏电极的a-IGZO TFT具有明显改善的电学特性,场效应迁移率为1.73cm~2/V·s,亚阈值摆幅2.8V/(°),开关比为2×10~7,由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力。 相似文献
997.
998.
Optimal distributed power allocation for a new spectrum sharing paradigm in cognitive radio networks
The problem of power allocation in cognitive radio networks plays an important role to improve the efficiency of spectrum utilization. However, most of previous works focus on the power allocation for secondary users in spectrum sharing overlay or spectrum sharing underlay, which needs to frequently handoff between the idle spectrum bands or considers the interference constraints in all spectrum bands respectively. In order to reduce the handoff and fully utilize the spectrum resource, we propose a new spectrum sharing paradigm which not only can just need to adjust the transmit power in spectrum bands instead of frequently handoff between idle spectrum bands, but can fully utilize the spectrum resource as we only consider the interference power constraints in active spectrum bands rather than in all spectrum bands. Then based on this new spectrum sharing paradigm and the constraint conditions, we study the distributed power allocation for secondary users and formulate the optimization problem as a non-cooperative game problem, after that the variational inequality approach is used to solve this game problem and a Nash equilibria solution is got, finally simulation results are illustrated to demonstrate the performance of the proposed scheme. 相似文献
999.
通过飞秒脉冲激光(50 fs,800 nm,1 kHz,2 mJ)沉积技术在n型Si(100)单晶基片上制备了ZnO薄膜.详细研究了基片温度变化以及退火处理对ZnO薄膜的结构、表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射(XRD)结果表明,不同温度下(20~350℃)生长的ZnO薄膜具有纤锌矿结构,并且呈c轴择优取向;当基片温度为80℃时,薄膜沿(002)晶面高度择优生长;当基片温度为500℃时薄膜沿(103)晶面择优生长,场发射扫描电子显微镜(FEEM)结果表明薄膜呈纳米晶结构,并观察到了ZnO的六方结构.进一步通过透射光谱的测量讨论了基片温度及退火处理对ZnO薄膜光学透射率的影响,结果表明退火后薄膜的透射率增大. 相似文献
1000.