980nm垂直腔面发射激光器的外延生长

模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980 nm的垂直腔面发射激光器,制作了氧化孔径为14 μm的内腔式氧化限制型VCSEL器件,其阈值电流为3.3mA,阈值电压为1.8V,斜率效率为0.387 W/A,室温直流电流为22.8 mA时,输出光功率为5 mW.     

基于DVI-DVI处理器的两种亮度逐点算法分析

基于DVI-DVI处理器的亮度逐点校正算法有两种,即算法1和算法2.针对采用两种算法后在亮度偏差量以及数字电路设计方面的差异性进行分析.首先,通过色度学空间转换理论获得校正算法1和校正算法2的模型;然后,分别对采用两种算法引起的亮度偏差量进行对比,通过计算得到算法2和算法1的亮度偏差量比例系数kr;最后,对实现两种算法数字电路应用的资源进行对比.通过两种算法在这两方面的对比得出:算法2更适合应用于DVI-DVI处理器.     

表面裂纹深度检测的非接触光声检测技术研究

提出了一种基于激光超声宽带透射系数和的表征参数,实现了表面裂纹深度的定量检测。通过有限元仿真与实验测量方法,从时域和频域分析了激光产生的瑞利波与表面裂纹的相互作用机制,采用宽带透射系数和作为表征裂纹深度的物理参数,并建立了其与表面缺陷深度之间的拟合方程。结果表明,脉冲激光产生的瑞利波对金属表面裂纹深度变化十分敏感,所提出的计算方法可用于精确判断表面裂纹的深度。本文研究成果可为工件表面裂纹的非接触检测提供潜在应用。     

基于精确线性化的Nadolschi混沌系统T—S模糊控制

针对一类新的混沌系统--Nadolschi混沌系统,提出一种新的模糊镇定控制方法.该方法首先利用T-S模糊模型对Nadolschi混沌系统进行精确描述,在此T-S模糊模型的基础上,基于并行分布补偿(PDC)技术和精确线性化(EL)理论设计模糊状态反馈控制器来镇定Nadolschi混沌系统,并且利用线性系统理论证明了闭环系统的渐近稳定性.仿真结果表明,设计的控制器能够快速有效地将Nadolschi混沌系统的混沌时间轨迹渐近镇定到其零平衡点,且控制简单可靠.该方法可以进一步推广到其他混沌(超混沌)系统的控制问题中.     

基于云计算平台的鉴权分析

国内云计算平台以系统内部认证和授权作为主要的鉴权方式。在研究国外开源的云平台项目的鉴权方式基础上,分析了云计算平台的认证管理和授权服务过程,实现了鉴权模块的集成,云计算平台在调用服务时通过鉴权模块的统一认证和授权,可以达到权限和资源的有效管理。试验结果表明,此模块的集成可以应用到云计算平台中。     

FFT算法的一种FPGA实现

FFT运算在OFDM系统中起调制和解调的作用。针对OFDM系统中FFT运算的要求，研究了一种易于FPGA实现的FFT处理器的硬件结构。接收单元采用乒乓RAM结构，扩大了数据吞吐量。中间数据缓存单元采用双口RAM，减少了访问RAM的时钟消耗。计算单元采用基2算法，流水线结构，可在4个时钟后连续输出运算结果。各个单元协调一致的并行工作，提高了系统时钟频率，达到了高速处理。采用块浮点机制，动态扩大数据范围，在速度和精度之间得到折衷。模块化设计，易于实现更多点数的FFT运算。     

一种丝网印刷间距调整系统的设计

设计了一种用于丝网印刷机的印刷间距调整系统,能够对丝网印刷间距进行实时精确调整,并在丝网印刷机中验证了该系统能够提高印刷品质,稳定工作。     

一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计

为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6～40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中.     

基于噪声估计和三维DCT的CCD图像去噪

电荷耦合器件(CCD),作为数码相机的核心器件,在成像过程中会产生依赖于信号的噪声。文中提出了一种基于噪声估计和三维DCT的CCD图像降噪方法。该方法建立了一种新的噪声模型,并先准确估计CCD的噪声水平函数(NLF),然后对利用非局部思想搜索出来的相似块群,进行三维DCT,最后对高频系数做自适应阈值处理,从而达到降噪的目的。实验证明,该方法对CCD噪声图像具有很好的去噪效果,甚至可以媲美目前去噪效果最好的Non-localMeans(NLM)算法和BM3D算法。     

液体-压电晶片界面兰姆波激发的理论研究

对液体 -压电晶片结构中叉指换能器所激发的兰姆波进行了理论研究和数值分析 ,给出了兰姆波的相速度、叉指换能器激发兰姆波的机电耦合系数与压电晶片的归一化厚度、晶体切向之间的关系曲线 ,为液体密度兰姆波声传感器的研究提供了理论基础。