油气操作成本预测方法研究

油气操作成本在油气生产中占有较大的比重，油气操作成本的高低直接影响油田开发的经济效益。为了有效地控制油田油气操作成本，根据影响油气操作的因素，将油气操作成本按其影响因素进行分类，对基本运行费和油气处理费采用回归预测的方法，通过对相关数据的收集，建立对应的数学模型进行预测，对其他各项操作成本，采用单位费用和计划工作量进行预测，最后进行汇总，得到油气操作成本，其预测结果可作为油气操作成本计划制订的依据。该方法简单、操作性强，预测效果较好，在油田可以推广使用。     

液压多功能小件落物打捞器的研制与应用

由于侧钻井、水平井特殊井身结构限制，常规的小件落物打捞器打捞成功率低。为此经过认真分析和现场实践，将常规机械操作的一把抓改成液压操作，常规强磁打捞器的圆柱形平面磁铁改成具有伸缩性的磁针，同时结合套铣筒，研制出一种液压多功能小件落物打捞器，克服了侧钻井、水平井井身结构的限制，大大提高了一次打捞成功率，现场应用效果明显。     

CO2吞吐工艺操作参数的整体优化设计

针对ZY油田原油CO2吞吐的工艺过程，建立了CO2吞吐数值模拟模型。应用数值模拟方法对CO2吞吐进行了实例分析，首先对该井的CO2吞吐参数进行了单因素敏感性分析，分析了CO2周期注入量、注入速度、焖井时间、采液速度等因素对CO2吞吐效果的影响。在此基础上进一步运用正交试验方法对CO2吞吐参数进行了优化，通过计算表明用正交试验优选法得到的优化方案比单因素敏感性分析所得的优化结果更为合理。     

川东气藏直井完井方法的产能预测研究

在分析研究目前国内外油气井完井产能计算经验公式的基础上，针对四川气田东部浅层气藏常用的几种完井方式，建立了该地区完井产能预测的数学模型。通过实例计算，表明了其数学模型的准确可行性，并为出砂井和非出砂井的完井方式提供了选择依据：对于出砂井，砾石裸眼充填完井方式是最理想的完井方式；对于非出砂井，实际裸眼完井的产能最大。得出的结论对该地区直井完井方式的选择，完井参数优化设计以及产能预测具有一定的指导作用。     

关于天然气水合物钻采工艺技术进展的研究

目前全球正面临着前所未有的能源危机，天然气水合物由于储量大、能量密度高而将成为一种诱人的新型能源。天然气水合物主要存在于冻土带和海洋，在地下处于低温和高压状态，以现有的技术，钻井和开采都存在很大的困难。简要介绍了天然气水合物的性质及储量，阐述了天然气水合物钻井的六个挑战及目前国外天然气水合物的两种钻探方法；同时阐述了以热力法、降压法和化学试剂注入法为主的天然气水合物开采方法，并针对天然气水合物钻采技术现状指出了下一步的研究方向。     

码流分析仪在有线数字电视系统中的应用

论述数字电视系统的关键技术，对传输码流参数进行分析，提出码流分析仪在有线数字电视系统中的应用方法。     

动力环境集中监控系统可靠性的提高

为实现电源设备乃至通信机房的少人或无人值守和集中维护,必须建立一套完善的电信局动力环境集中监控系统。文中结合番禺区电信局的实际,讨论了提高系统运行可靠性的几点措施,包括硬件方面与软件方面的手段,关键在于加强系统的运行管理。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.     

Catalytic aminolysis of epoxide by alumina prepared from amine-protected Al precursor

The catalytic activities of alumina prepared from an Al alkoxide-amine adduct monomer for the reaction of cyclopentene oxide with piperidine was determined after various pretreatments, including calcination and exposure to moisture. They were compared with the activity of alumina prepared by the conventional hydrolysis method. It was found that the as-prepared sample from the alkoxide-amine monomer preparation was five times more active than a conventional preparation, suggesting that it has a higher density of surface Lewis acid sites. However, its activity was much more severely suppressed by exposure to moisture.