A 20-Gb/s 1 ： 2 demultiplexer in 0.18-μm CMOS

A 1 ： 2 demultiplexer （DEMUX） has been designed and fabricated in SMIC＇s standard 0.18-μm CMOS technology, based on standard CML logic and current-density-centric design philosophy. For the integrity of the DEMUX and the reliability of the internal operations, a data input buffer and a static latch were adopted. At the same time, the static latch enables the IC to work in a broader data rate range than the dynamic latch. Measurement results show that under a 1.8-V supply voltage, the DEMUX can operate reliably at any data rate in the range of 5-20 Gb/s. The chip size is 875×640μm^2 and the power consumption is 144 mW, in which the core circuit has a share of less than 28%.     

优化计算的神经网络模型

优化计算的动态求解器对于一些需要进行实时分析决策的场合具有很高的实用价值,利用神经网络进行这方面的研究已经引起了广泛的重视。本文介绍了目前国际上具有代表性的几种优化计算网络模型,以及它们的实现方法和存在的问题。     

几种无损图像压缩方法的比较与研究

对几种无损图像压缩的方法进行了介绍、比较和分析、比较基于不同类型的图像数据,比较结果显示一种基于分片的无损编码（ＳＬＩＣ）方法（它属于一种区域扩散算法）在对医疗图像的压缩效果上比其它方法优越,但是它对一般通用图像的压缩效果并不是最好,这说明不同类型的图像体现不同类型的特征,针对不同类型的图像而采用相应的算法可以达到降低传输带宽和减少存储空间的效果。     

The Effect of Growth Pressure and Growth Rate on the Properties of Mg-Doped GaN

In this work, the effects of growth pressure and growth rate on electrical and structural properties of Mg-doped GaN were investigated. It has been shown that enhanced growth rates induced by higher growth pressures may lead to decreased structural and electrical properties of p-type GaN layers. If the growth rate is kept unchanged, higher growth pressures will be beneficial for the quality of Mg-doped GaN due to the enhanced NH₃ overpressure.     

2005年东盟政治经济与电信市场发展情况

在政治趋于稳定、经济持续发展的前提下,东盟电信市场继续稳步推进,不过,东盟各国的电信发展速度存在差异显著,越南、印尼、束埔塞和老挝等电信普及率较低的国家,电信用户的年增速在30％以上,而泰国、新加坡、菲律宾和文莱等电话普及率超过40%的国家,用户年增速已降至10％以内。电信业务的发展也不协调．移动用户的年增量一直远远高于固定用户,不过在小灵通、无绳电话的推动下．2005年出现了移动用户增速放慢、固定用户加快增长的局面。     

背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.     

应用于GSM/EDGE零中频接收机的CMOS射频前端

介绍了一个零中频接收机CMOS射频前端,适用于双带(900MHz/1800 MHz)GSM/EDGE;E系统.射频前端由两个独立的低噪声放大器和正交混频器组成,并且为了降低闪烁噪声采用了电流模式无源混频器.该电路采用0.13 μm CMOS工艺流片,芯片面积为0.9 mm×1.0 mm.芯片测试结果表明:射频前端在90...     

A 2.5-Gb/s fully-integrated,low-power clock and recovery circuit in 0.18-μm CMOS

Based on the devised system-level design methodology,a 2.5-Gb/s monolithic bang-bang phase-locked clock and data recovery(CDR) circuit has been designed and fabricated in SMIC's 0.18-μm CMOS technology.The Pottb(a|¨)cker phase frequency detector and a differential 4-stage inductorless ring VCO are adopted,where an additional current source is added to the VCO cell to improve the linearity of the VCO characteristic.The CDR has an active area of 340×440μm~2,and consumes a power of only about 60 mW from a 1...     

助焊剂各成分作用浅析

根据助焊剂的研究现状,文章对助焊剂各主要成分的作用进行了介绍,主要阐述了其中活性成分的作用及机理,并对助焊剂性能改进提高的方法及方向进行了归纳和展望。     

基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制

采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。