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11.
12.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
13.
Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法,可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱,在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序,可以直接用于油田的生产实际。 相似文献
14.
15.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献
16.
Xiangfei Chen Jianping Yao Fei Zeng Zhichao Deng 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(7):1390-1392
A novel single-longitudinal-mode (SLM) fiber ring laser that incorporates an equivalent phase-shifted fiber Bragg grating acting as an ultra-narrow bandpass filter in the laser cavity is proposed. The equivalent phase-shifted fiber Bragg grating has an ultra-narrow transmission bandwidth which ensures an SLM lasing. Stable SLM operation without mode hopping is demonstrated. 相似文献
17.
湖南省地方电力是水利产业的重要支柱,对促进农村经济发展等多方面发挥了重要的作用,但在经营中还存在着一系列的困难,文章详细的介绍了地方电网在经营企业中存在的主要问题和解决问题的关键环节。 相似文献
18.
X. S. Ning K. Suganuma T. Okamoto A. Koreeda Y. Miyamoto 《Journal of Materials Science》1989,24(8):2879-2883
Two kinds of additive-free silicon nitride ceramics were brazed with aluminium; one was with as-ground faying surfaces and
the other was with faying surfaces heat-treated at 1073K for 1.8 ksec in air. The heat-treatment of the silicon nitride ceramics
formed a silicon oxynitride layer on the faying surfaces and increased the brazing strength of the joints. A silica-alumina
non-crystalline layer and a β′-sialon layer were formed successively from the aluminium side at the interface of the joints.
The heat-treatment which made the former layer thicker is a necessary process in making reliable, strong brazed joints. 相似文献
19.
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