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A 320×240 CMOS image sensor is demonstrated,which is implemented by a standard 0.6 μm 2P2M CMOS process.For reducing the chip area,each 2×2-pixel block shares a sample/hold circuit,analog-to-digital converter and 1-b memory.The 2×2 pixel pitch has an area of 40 μm×40 μm and the fill factor is about 16%.While operating at a low frame rate,the sensor dissipates a very low power by power-management circuit making pixel-level comparators in an idle state.A digital correlated double sampling,which eliminates fixed pattern noise,improves SNR of the sensor, and multiple sampling operations make the sensor have a wide dynamic range. 相似文献
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单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体,通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例,可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化,控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ,可以调整4πMs值,提高磁晶各向异性场,测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性,发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移,最高吸收峰可达32.8dB,是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。 相似文献
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利用Sobolev插值不等式和关于时间t的先验估计,研究了一类广义耦合的具有周期初值问题的KdV方程,得到了整体解和整体吸引子的存在性。 相似文献
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