PetroChina Drills Risk Exploration Wells in Africa

China National Oil Development Corporation （CNODC）, one of the subsidiaries under PetroChina responsible for the overseas oil exploration and development business, started to drill its first exploration well - Saha-1 on Tenere Block in Niger on October 30. This is another risk exploration well CNODC has drilled in this region following Bel E-I drilled on Block 350 in Algeria on September 15 and Heron-1 drilled on Block 20 in Mauritania on October 13. The drilling of those wells indicates a substantial stage of PetroChina＇s overseas large-scale risk oil and gas exploration in the Central and Northern Africa.     

协同作战能力简析

协同作战能力(CEC)是一种充分利用网络技术的新型海岸防空技术，给系统的作战能力带来了革命性的交破。本文对协同作战能力的产生、功能、组成以及未来的发展趋势作了详细的介绍，阐述了CEC系统的总体设计思想。在此基础上，将CEC系统与传统的作战系统的性能和设计思想在各方面进行了比较，交出了CEC系统各方面的优越性能。协同作战能力是现代和未来作战系统的发展方向，CEC系统的发展必将成为衡量各国国防科技现代化的重要指标。     

Al、Mo含量对铸造钛合金力学性能的影响

运用正交实验 ,考察了Al、Mo含量对Ti Al Mo 1Zr系铸造钛合金力学性能的影响。试验结果表明 :随Al、Mo含量提高 ,铸造合金的强度增加 ,塑性和冲击韧性降低 ,但Al、Mo的交互作用却使合金塑性提高 ,强度和冲击韧性降低     

浅谈应用标准进行软件测试

国家标准GB T175 44规定了软件包的质量要求及针对这些要求如何对软件包进行测试的细则。质量要求从产品描述、用户文档、程序及数据三个方面进行了规定 ,测试细则依据这些规定制定。ISO IEC912 6 (1991)版由ISO IEC 912 6 (软件产品质量 )和ISO IEC14 5 98(软件产品评测 )两个标准代替 ,ISO IEC912 6表述了软件产品质量的内部质量、外部质量和使用中的质量 ,规定了内部质量、外部质量的六个质量特性 ,并细分为 2 1个子特性 ,使用中的质量规定了四个使用质量特性 ,使用质量是指六个软件产品质量特性的综合效果。进行软件测试时 ,可以依据GB T175 44中的规定组织测试过程再结合ISO IEC912 6中的质量特性及子特性的规定确定测试需求的内容和测试的重点 ,利用ISO IEC912 6质量的规定建立质量评级的标准。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

优化设计 确保干式气柜安全运行

稀油密封干式气柜普遍应用于钢铁企业储存煤气,而用于炼油厂储存瓦斯气也仅仅是近些年出现的现象,由于干式气柜自身特点所限,一些炼油企业在使用过程中出现一些问题,导致气柜不能安全、有效运行,重点介绍克拉玛依石化公司在干式气柜运用方面的一些经验和体会,希望给有关设计和生产单位提供参考。     

美国包装考察报告--中国包装总公司美国包装考察团考察记实

一、概述 笔者于2002年11月份随中国包装总公司组织的赴美包装考察团对美国包装业进行考察.本次考察重点参加了在美国芝加哥举行的国际包装机械展览会.它集中展示了美国、加拿大及欧洲发达国家的最新包装技术和整体实力.     

大型连杆流线简易试验方法

介绍了一种大型连杆流线的简易试验方法及其评价原则。该方法可清晰显示流线，并适合任何尺寸和形状的锻造连杆的流线试验。     

Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift

A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V.