高效的模式匹配算法研究

对入侵检测中模式匹配的方法进行了研究,分析了当前常用的模式匹配方法的弱点与不足,提出了一种基于三叉树结构的自动机方法,较好的避免了传统树型结构中由于节点数目变化而导致的不便。此外,利用匹配失败的信息,实现了跳跃匹配,提高了模式匹配的速度。*     

基于成对约束的混合核函数KFCM图像分割算法

目前一些基于模糊核聚类的图像分割方法得到了大量研究,但难以有效地解决核方法中的参数合理选择问题,分割结果受到核参数人为主观选择的制约,不能达到分割的自适应性和良好性.通过提出一种基于成对约束的混合高斯核的方法来解决上述问题.将传统的高斯核函数改进为混合核函数,该混合核函数由多个不同核参数的高斯核函数组成,对于该混合核函数采用基于成对约束的类别信息算法求解其中的核参数和权重系数,进而采用该混合核函数对图像进行聚类分割.实验结果表明:该方法成功解决了模糊核聚类中核参数的选择问题,使得聚类更具有自适应性,而且由该混合核参数得到的图像分割结果更为鲁棒和准确.     

周期定标毫米波辐射计的性能分析

辐射计的性能主要取决于灵敏度、准确度和稳定度.文中给出了周期定标辐射计灵敏度、准确度和长期稳定度的分析方法,并研制了周期定标毫米波辐射计.该辐射计采用直放式接收机体制,工作频率为33～38GHz,利用有源噪声源的开和关作为高温和低温定标源.实验结果表明:该毫米波辐射计稳定度可达1.28K,准确度为1.71K.当场景测量的积分时间与高、低温定标的积分时间都为7.7ms时,灵敏度优于0.50K.     

基于模糊三值模式的矿物浮选泡沫图像边缘检测方法

针对一类边缘特征不明显的矿物浮选泡沫图像,提出了一种基于模糊三值模式的泡沫图像边缘检测方法.在‘0/1’二值模式基础上,增加不确定逻辑状态,构成模糊局部三值模式,以描述邻域像素灰度均值的不确定关系,同时,对邻域双向灰度差值之和进行模糊化,以描述边缘与非边缘方向的关系,联立邻域灰度关系与双向灰度差值隶属度,构造气泡边缘隶属度矩阵,依据联合隶属度的解模糊结果判决是否为边界候选像素,再根据边界候选像素集合的特征剔除非边界像素,以此得到泡沫边缘.实验结果表明,该方法能够有效地检测出气泡边缘,同时,在强噪声环境下,具有良好的鲁棒性.     

Al-Cu-Fe系初生准晶相凝固过程的电子显微分析

采用包括金相（OM），粉末X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）观察和透射电子显微（TEM）分析等方法，研究了铸态Al592.Cu36.8Fe3.0Si1.0合金（700℃保温2．5h后水淬）的显微组织及相组成。发现铸锭中存在4种相：准晶I相，τ3相（或φ相），θ－Al2Cu相和η－AlCu相，凝固过程可描述为：初生晶是准晶Ⅰ相；在保温过程中发生包晶或共晶反应（L＋i→τ3(或φ）或L→τ3（或φ）＋i)形成的τ3相（或φ相），呈微畴结构；而剩余液体水淬形成θ－Al2Cu相和η－AlCu 相。     

VME总线数据上行中断传输及从设备接口设计

介绍了VME总线数据的传送方式,分析了VME总线中优先中断总线的相关功能模块,研究了VME总线数据中断方式传输的机制,提出了一种基于中断方式数据上行传输的从设备VME接口的设计方法,给出了设计实例。     

电子封装与微组装密封技术发展

近年来,电子封装和微组装技术进入了超高速发展时期,新的封装和组装形式不断涌现,而其标准化工作已经严重滞后,导致概念上的模糊,这必然会对该技术的发展造成影响.力求将具有电子行业特点的电子封装和微组装密封的内涵和特点加以诠释,并对其发展提出见解和建议,以促进该技术的发展.     

全光网的关键技术及其发展前景

文章首先简要介绍了全光网(AON)的基本概念,接着重点介绍了AON中的关键技术,描述了AON的发展趋势,最后,提出了AON面临的挑战。     

Trimmer工艺参数对切割效果的影响

激光焊切机(Trimmer)是显示面板(TFT-LCD)工业中不可或缺的设备,其作用是利用激光束切除显示面板上的Shorting Bar结构。Trimmer切割效果对于后工段良率有很大影响,因此研究Trimmer的工艺参数对切割效果的影响对于提升产品良率具有重要意义。本工作首先通过实验探究激光单脉冲能量E、激光频率f、切割速度v、加工光斑沿切割方向的边长a等工艺参数对于某款165cm(65in)产品的切割效果的影响,然后深入分析了Trimmer的切割机理,提出了囊括所有工艺参数的变量"ε",然后通过实验给出了对于膜厚为0.45μm的Cu材质Shorting Bar,Trimmer激光单脉冲能量必须在7mJ以上,ε在400mJ/mm~2以上,Trimmer可以将Shorting Bar切除干净,并且得出ε与表征切割效果的参量ω之间的函数关系,证实了ε值对于切割效果的影响。     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。