微电机与微加工

简述了和微电机相关的微加工生产中的方法，介绍了微型机电部件成型的实现途径。     

基于CMDCT的AAC编码器心理声学模型的改进

本文提出一种改进的MPEG4-2／4AAC编码结构。与ISO标准参考结构中平行进行DFT和DMDCT不同，改进结构里感知模型和编码器中的时域到频域变换的计算都基于CMDCT进行，将两次变换合并为一次。在保持编码质量的同时，降低了变换部分的计算复杂度。新结构中变换的计算形式得到统一，更加适合编码器的VLSI实现。     

国内外中短波调幅广播技术20年来的回顾和展望

文章回顾２０年来国内外调幅广播在调制制式，射频放大系统以及包括单边带，浮动载波和调幅多工等多种功能的发展状况。同时对今后调幅广播技术发展方向发表了几点看法。     

湍流大气中光波闪烁的计算及实验测量比较

采用修正Rytov方法和近似理论计算了球面波在湍流大气中传播的闪烁指数，并与实验结果进行了比较，发现在弱起伏和中等湍流起伏区修正Rytov解与实验结果符合得良好，而在饱和区采用考虑内尺度效应下的近似理论结果更符合实验结果。     

As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响

在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm     

甲醇蒸汽转化炉炉管损伤分析及修复

通过对乙烯厂甲醇车间蒸汽转化炉炉管的材料成分、力学性能、金相组织等的分析，确定定其失效模式为高温蠕变损伤，找到造成及影响炉管失效的主要因素。并对炉管的修复以及预防提出了有效的方法及建议。     

太钢1#转炉合金上料系统存在的问题及对策

主要介绍了太钢1^#转炉合金上料系统的电气仪表控制部分在设计和施工过程中存在的一些问题及采取的解决措施。     

探讨低收入阶层住区建设的公共政策

探讨了低收入阶层住区建设的现状及弊端，从旧城改造、新城建设及住房政策三方面对解决低收入阶层住区建设问题的对策进行了研究，以妥善解决低收入阶层的住房问题，从而达到构建和谐社会的目的。     

基于PAWS的某型导弹自动测试程序开发研究

介绍了在PAWS软件平台上进行面向信号的测试程序开发的一般过程.在PAWS软件平台上进行了某型导弹部分测试环节的面向信号的测试程序开发,包括某型导弹的测试需求分析;某型导弹自动测试系统硬件组成和自动测试程序结构;某型导弹部分测试环节自动测试程序开发.     

Effect of heat-treatment on the surface properties of gallium phosphide nanosolids by Raman spectroscopy

Raman spectra of gallium phosphide （GAP） nanosolids （unheated and heat-treated at 598 and 723 K, respectively） were investigated. It was observed that both the longitudinal optical mode （LO） and the transverse optical mode （TO） displayed an asymmetry on the low-wavenumber side. The scattering bands were fitted to a sum of four Lorentzians which were assigned to the LO mode, surface phonon mode, TO mode, and a combination of Ga-O-P symmetric bending and sum band formed from the X-point TA ＋ LA phonons, respectively. Analysis of the characteristic of surface phonon mode revealed that the surface phonon peak of the GaP nanosolids could be confirmed. In the infrared spectrum of the GaP nanoparticles, we observed the bands on account of symmetric stretching and bending of PO2, as well as stretching of Ga-O The Raman scattering intensity arising from the Ga-O-P linkages increased as increasing the heat-treatment temperature.