全文获取类型
收费全文 | 142285篇 |
免费 | 15105篇 |
国内免费 | 10009篇 |
专业分类
电工技术 | 11035篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 12435篇 |
化学工业 | 19455篇 |
金属工艺 | 9419篇 |
机械仪表 | 9771篇 |
建筑科学 | 10665篇 |
矿业工程 | 5168篇 |
能源动力 | 3608篇 |
轻工业 | 12645篇 |
水利工程 | 4141篇 |
石油天然气 | 6910篇 |
武器工业 | 1674篇 |
无线电 | 16246篇 |
一般工业技术 | 14396篇 |
冶金工业 | 7198篇 |
原子能技术 | 2244篇 |
自动化技术 | 20387篇 |
出版年
2024年 | 888篇 |
2023年 | 2428篇 |
2022年 | 5048篇 |
2021年 | 6676篇 |
2020年 | 4853篇 |
2019年 | 3794篇 |
2018年 | 4051篇 |
2017年 | 4642篇 |
2016年 | 4100篇 |
2015年 | 5988篇 |
2014年 | 7384篇 |
2013年 | 8813篇 |
2012年 | 10581篇 |
2011年 | 11318篇 |
2010年 | 10452篇 |
2009年 | 9687篇 |
2008年 | 9941篇 |
2007年 | 9553篇 |
2006年 | 9042篇 |
2005年 | 7373篇 |
2004年 | 5171篇 |
2003年 | 3859篇 |
2002年 | 3567篇 |
2001年 | 3216篇 |
2000年 | 2943篇 |
1999年 | 2226篇 |
1998年 | 1887篇 |
1997年 | 1479篇 |
1996年 | 1305篇 |
1995年 | 1068篇 |
1994年 | 923篇 |
1993年 | 668篇 |
1992年 | 480篇 |
1991年 | 412篇 |
1990年 | 312篇 |
1989年 | 281篇 |
1988年 | 211篇 |
1987年 | 144篇 |
1986年 | 121篇 |
1985年 | 76篇 |
1984年 | 35篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 39篇 |
1981年 | 37篇 |
1980年 | 48篇 |
1979年 | 27篇 |
1977年 | 48篇 |
1976年 | 95篇 |
1959年 | 14篇 |
1951年 | 18篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
981.
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz. 相似文献
982.
Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长 总被引:2,自引:3,他引:2
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 .研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量 相似文献
983.
984.
985.
986.
987.
运用滑模理论设计了一种随动系统的控制器,并详细阐述了该控制器的基本组成、原理、特点、动态特性及其具体的电路.试验结果表明所设计的控制器达到系统技术指标要求,从而为导弹随动系统设计提供了一种新方法. 相似文献
988.
989.
990.