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81.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。  相似文献   
82.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
83.
纳米ZrO2等离子涂层的结构,性能和工艺特点   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用大气等离子喷涂技术(APS),制备了常规氧化锆和纳米结构氧化锆两种涂层.利用扫描电镜(SEM)对涂层的显微结构进行了观察.对两种涂层的沉积效率、表面粗糙度和显微硬度作了对比研究.结果表明,粉末原料的显微结构、粒度、形态、喷涂工艺参数(喷涂功率和距离)对涂层的显微结构有较大的影响.等离子喷涂造粒纳米氧化锆粉制备的涂层沉积效率高而稳定,其显微结构与喷涂功率和距离密切相关.与常规氧化锆涂层相比,纳米结构氧化锆涂层具有较高的显微硬度和较低的表面粗糙度.  相似文献   
84.
多服务组的流媒体安全通信机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
刘洋志  杨明  黄鑫阳 《电视技术》2006,(3):56-58,65
提出了一种基于多服务组的流媒体安全通信机制.现有的方案一般是针对用户只参加一个多播组的通信,很少涉及到一个用户同时参加多个多播组的通信,而且没有提供有效的发送方身份验证机制.本文提出了一种具有发送方身份验证功能的一个用户同时可以参加多个组通信的方案,大大地降低了用户和服务器的存储开销,与传统的密钥树方案相比,用户的存储开销降低为原来的l/lgn(n为组中的用户数目),有良好的可扩展性.另外,本机制实现了可靠的发送方身份验证功能.  相似文献   
85.
小波变换在光谱特征提取方面的应用   总被引:4,自引:1,他引:3  
人们在处理高光谱图像时一般要对一些典型地物进行光谱分析、特征波段的提取,以便提取出最大量的有效信息,剔除无用或冗余的信息,然后再进行分类识别.采用小波变换的分析方法,选用合适的小波进行分解,根据分解后的高频分量中包含的重要信息,利用局部相邻的正负极值点找出对应于原始光谱曲线上每个吸收带的左右边界;利用局部过零点,即可比较精确的提取出各个吸收带的中心波长.该方法比传统的光谱特征提取方法更简洁、有效,实验证明为一种比较理想的光谱特征提取方法.  相似文献   
86.
黄菠  樊丰  伍瑞卿 《中国有线电视》2006,(21):2109-2112
H.264标准在基本档次和扩展档次中采用CAVLC熵编码,完成对变换系数残差块的编码。提出一种基于FPGA的H.264标准的CAVLC编解码器,程序代码用verilog硬件描述语言编写,并在QuartusⅡ中进行了仿真验证,可以实现对每个残差块数据的编解码并将其按照宏块光栅扫描的顺序输出到存储器,因此适合于嵌入在最终的码流中。仿真结果表明此CAVLC编解码器达到H.264标准中基本档次和扩展档次level3.0的性能要求。  相似文献   
87.
介绍了互联网通信技术的特点、应用和发展,提出了一些新的方法,解决了互联网通信过程中的信息访问资源浪费、信息阻塞和信道负担增加的问题。  相似文献   
88.
IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张华曹  段飞 《电子器件》2003,26(1):25-28
以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型,经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析,所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的,可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。  相似文献   
89.
卟啉类光电功能材料的研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
卟啉及其衍生物是一类具有优良的光电性能的有机半导体材料.引起人们广泛的关注。本文对卟啉类光电材料在模拟生物光合作用中心的光致电荷转移和能量转移,有机太阳能电池.分子光电器件。有机电致发光和光存储等领域的研究进展做一简要介绍。  相似文献   
90.
黄凯 《现代电子技术》2006,29(23):54-55
随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。  相似文献   
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