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激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
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纳米ZrO2等离子涂层的结构,性能和工艺特点 总被引:6,自引:0,他引:6
采用大气等离子喷涂技术(APS),制备了常规氧化锆和纳米结构氧化锆两种涂层.利用扫描电镜(SEM)对涂层的显微结构进行了观察.对两种涂层的沉积效率、表面粗糙度和显微硬度作了对比研究.结果表明,粉末原料的显微结构、粒度、形态、喷涂工艺参数(喷涂功率和距离)对涂层的显微结构有较大的影响.等离子喷涂造粒纳米氧化锆粉制备的涂层沉积效率高而稳定,其显微结构与喷涂功率和距离密切相关.与常规氧化锆涂层相比,纳米结构氧化锆涂层具有较高的显微硬度和较低的表面粗糙度. 相似文献
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小波变换在光谱特征提取方面的应用 总被引:4,自引:1,他引:3
人们在处理高光谱图像时一般要对一些典型地物进行光谱分析、特征波段的提取,以便提取出最大量的有效信息,剔除无用或冗余的信息,然后再进行分类识别.采用小波变换的分析方法,选用合适的小波进行分解,根据分解后的高频分量中包含的重要信息,利用局部相邻的正负极值点找出对应于原始光谱曲线上每个吸收带的左右边界;利用局部过零点,即可比较精确的提取出各个吸收带的中心波长.该方法比传统的光谱特征提取方法更简洁、有效,实验证明为一种比较理想的光谱特征提取方法. 相似文献
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随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。 相似文献