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91.
IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张华曹  段飞 《电子器件》2003,26(1):25-28
以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型,经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析,所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的,可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。  相似文献   
92.
卟啉类光电功能材料的研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
卟啉及其衍生物是一类具有优良的光电性能的有机半导体材料.引起人们广泛的关注。本文对卟啉类光电材料在模拟生物光合作用中心的光致电荷转移和能量转移,有机太阳能电池.分子光电器件。有机电致发光和光存储等领域的研究进展做一简要介绍。  相似文献   
93.
黄凯 《现代电子技术》2006,29(23):54-55
随着集成电路规模的不断增大,电源网络的重要性日趋显著,电源网络的分布直接影响芯片的电压降(IR-drop)。一种布线后通过在空闲处插入电源桥和地桥的方法,可以在不增加芯片面积的情况下,改善IR-drop效应。实验结果表明在芯片布局利用率不高的情况下(70~75%),该方法可以使IR-drop得到明显的优化。  相似文献   
94.
现场总线控制系统是计算机、网络与自动控制三项技术相互结合的一门新技术。文章介绍了现场总线控制系统仪表网络的典型结构,对现场总线控制系统与集散控制系统进行了比较,论述了现场总线控制系统检查和调试的程序、内容与操作方法。  相似文献   
95.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
96.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展   总被引:7,自引:0,他引:7  
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。  相似文献   
97.
石油化工可燃气体或蒸气排放系统的消防安全设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
石油化工生产装置大多是通过火炬燃烧排放易燃易爆气体或通过放空管将易爆气体直接排入大气中。文章分析了火炬系统和放空管的火灾危险因素,并从火炬的布置、高度、排放能力、自动监控装置以及放空管的气体排放浓度、安装位置、安全装置等方面,重点论述了火炬系统和放空管的消防安全设计要点。  相似文献   
98.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。  相似文献   
99.
生存能力技术及其实现案例研究   总被引:12,自引:1,他引:11  
生存能力技术谋求增强系统在面临攻击、失效等灾难情况下仍能继续提供服务的能力。本文提出了以多样化分布式动态备份技术和主动漂移机制为手段,以被保护目标的机动性和隐蔽性为目的的生存能力技术模型。提出了多样化体系理论及其实现案例,基于该理论设计并实现了自适应TOM方法。最后通过模拟和测试探讨了生存能力的评价方法,并验证了本文的结果。  相似文献   
100.
浅谈如何有效学习计算机软件知识   总被引:1,自引:0,他引:1  
计算机软件知识的学习并不是完全线性的,而是不断循环往复、迭代的过程。本对如何深入、广泛、有效地学习计算机软件知识做出了一些探讨。  相似文献   
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