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新增探明储量的经济可采储量计算方法 总被引:5,自引:0,他引:5
提出了新增探明储量有无经济可采储量的判别方法。在此基础上,通过对立已开发油田技术可采储量经济转化率与油藏空气渗透率的相关关系式和图版,根据储层的空气渗透率,计算新增探明储量的经济转化率和经济可采储量。该方法参数易取,计算简便,对于快速、准确计算新增探明储量的经济可采储量具有重要意义。 相似文献
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单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
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数字多媒体广播(DMB)是从数字音频广播(DAB)基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。 相似文献
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针对TPS/TDC30 0 0系统串口通讯方式、机理进行了一般性的介绍 ,对规划与应用中常见的的问题 ,根据实际工程应用经验提出了解决方案。 相似文献
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Kerber A. Cartier E. Pantisano L. Degraeve R. Kauerauf T. Kim Y. Hou A. Groeseneken G. Maes H.E. Schwalke U. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(2):87-89
The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling. 相似文献