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分析了韩国、日本及国内运营商手机游戏业务的发展状况.探讨了手机游戏业务的模式.论述了该业务的战略定位和市场前景。从地区提供给移动通信市场对外部环境、产业链的准备是否充分以及运营商内部的资源和运营状况等三个方面阐明了手机游戏业务发展的关键因素。 相似文献
32.
33.
吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。 相似文献
34.
35.
本工艺是对原有工艺的改进,突破了原有布帮鞋不能采用无浆贴合的局限性,对原有工艺中的不足有了很大的改进,提高了生产效率,改善了鞋子外观质量,增加了鞋子的美观性。 相似文献
36.
37.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
38.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
39.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
40.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献