RFID电子门票解决方案(三)

继第二、三期的专题连载(一)和(二)之后,这次介绍门票系统的扩展和系统的优势,并且给出了各种门票的对比表。     

TD-SCDMA系统终端中的GMM功能实体研究

移动性管理(MM,MobilityManagement)是层3的一个子层,它主要完成与用户的移动性相关的一些功能。根据业务的分域划分,MM子层被分为支持CS模式的MM实体和支持PS模式的GMM实体。本文通过对GMM一般过程和特殊过程的描述,介绍了TD-SCDMA系统终端GMM实体的功能及其实现过程。     

天融信逾越中国企业"坎"

从去年年底的一段时间以来,尽管天融信备受外界关注,但除了宣布去年9月在天融信成立十周年之际,具有丰富国际企业运作和管理经验的金玉丹先生出任天融信公司的CEO和今年一月任命韦文为公司CTO以外,天融信通过正面渠道向外界发出的声音似乎并不多,大家听到更多的是通过小道消息或传闻,有人说天融信正在进行人事变动,也有人说天融信正在历经变革与调整,但都未得到正面证实。然而近期天     

SafeNet实现超强安全加密

安全加密产品的领导者SafeNet 公司,近日发布了新一代世界级高安全加密锁产品——圣天狗,以确保软件开发商的知识产权不被非法盗用。圣天狗(Sentinel Dog)是第一个也是唯一一个在市场上采用公钥技术、AES加密和内部验证机制的保护锁。它在提供超强安全加密性能的同时具有弹性化的授权模式。     

The First Template‐Free Growth of Crystalline Silicon Microtubes

A simple template‐free high‐temperature evaporation method was developed for the growth of crystalline Si microtubes for the first time. As‐grown Si microtubes were characterized using X‐ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, and room‐temperature photoluminescence. The lengths of the Si tubes can reach several hundreds of micrometers; some of them have lengths on the order of millimeters. Each tube has a uniform outer diameter along its entire length, and the typical outer diameter is ≈ 2–3 μm. Most of the tubes have a wall thickness of ≈ 400–500 nm, though a considerable number of them exhibit a very thin wall thickness of ≈ 50 nm. Room‐temperature photoluminescence measurement shows the as‐synthesized Si microtubes have two strong emission peaks centered at ≈ 589 nm and ≈ 617 nm and a weak emission peak centered at ≈ 455 nm. A possible mechanism for the formation of these Si tubes is proposed. We believe that the present discovery of the crystalline Si microtubes will promote further experimental studies on their physical properties and smart applications.     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

High-performance MIM capacitor using ALD high-k HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectrics

For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications.     

抗真菌蛋白Rs-AFP2基因定点突变及其对大肠杆菌中表达的影响

为了研究遗传密码子对表达调控的影响,利用PCR重叠延伸法,对萝卜抗真菌蛋白Rs-AFP2基因编码序列区的部分核苷酸进行沉默突变,构建突变体Rs-AFPm.序列分析表明,PCR产物全长240bp,有一个阅读框,编码的蛋白由29个氨基酸的信号肽和51个氨基酸的抗真菌蛋白组成.突变体与突变前的Rs-AFP2基因相比,在编码区第3号氨基酸Lys相差一个碱基(TTG→TTA),第5号氨基酸Gln相差一个碱基(CAG→CAA),第6号稀有密码子Arg相差两个碱基(CAG→CGA).重新合成引物,将切除信号肽的Rs-AFP2基因和Rs-AFPm基因与原核表达载体pET-21b(+)分别重组到大肠杆菌BL21菌株.IPTG诱导后,二者均得到了表达.软件分析显示,突变前pETAFPo表达产物占全菌蛋白的3%,突变后pETAFPm的表达产物占全菌蛋白含量的8%;表达蛋白主要以包涵体的形式存在,包涵体经超声波破碎后,蛋白质复性,抑菌结果表明,pETAFPm表达产物的抑菌半径大于pETAFP2表达产物的抑菌半径.这些都说明改造后的Rs-AFPm基因与Rs-AFP2基因相比,已有效地提高表达量.     

堆石料与基岩面直剪试验

介绍了堆石料与基岩面的现场直剪试验方法，6个组次的直剪试验结果表明，堆石料与基岩面的抗剪强度指标随基岩面坚硬度的增大而增加，并随基岩面粗糙度的加大而加大。     

SiC半导体技术--即将腾飞的新一代半导体技术

电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC 材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得到的出色特性。其最重要的优点包括以下几个方面：:工作结温高达225 ℃，而相应的漏电流只有适度的增加。由于本质上不会出现热偏移thermal run－away)，故可以在 很高的结温下可靠的工作。 没有正向或反向恢复，故即使在高温 下以高频工作时，也没有开关损耗。 甚至可以实现开关损耗极小、频率 高达1 M H z 的深度切换(h a rd 正向电阻具有…