一种新型液压阻尼器设计、建模与仿真

针对传统液压阻尼器在特殊场合不能满足制动需求的问题,提出了一种新型的液压阻尼器。采用盘状间隙结构形式,利用液体的可压缩性,使活塞腔流体出流面积迅速减小,活塞腔压力瞬间升高,给活塞相反方向的液压力实现缓冲制动。本文给出了该阻尼器的工作原理、数学建模以及数字仿真。仿真结果表明:盘状间隙液压阻尼器不仅可实现安全制动,而且还可实现对制动波形与制动时间的可控性,以满足不同应用场合的需求。     

基于电容栅编码传感器的液位测量系统

针对同心圆柱电容式液位传感器的不足之处,设计了一种新型的测量液位的电容栅编码传感器,介绍了该传感器的基本原理。并在此基础上设计了一套液位测量系统,详细介绍了电容检测以及编码电容栅分组原理。该液位测量系统能满足一定条件下液位的测量需求。     

弥漫性轴索损伤实验装置的研制和应用

为研究弥漫性轴索损伤(DAI)问题,研制了一套稳定性高、重复性好且能比较真实地模拟DAI临床损伤机制的实验装置。详细阐述了实验装置的设计过程,包括驱动力的选择、联动结构设计、限位固定块的设计和传感器的选择等。最后通过大鼠实验验证了实验装置的可行性和优越性。     

心电信号处理中的数字滤波器的设计

心电信号是一种基本的人体信号,其中常带有肌电干扰、基线漂移和工频干扰等各种噪声,为了得到不失真的原始心电信号,在显示信号前要进行必要的滤波预处理.介绍了处理ECG信号中滤波器的设计,包括去除噪声的低通、高通和带阻滤波器.     

用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理.采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂.采用HHNEC 0.35 μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声.     

济南市现代测绘基准体系建设

概述了济南市现代测绘基准体系建设背景和基本情况,详细介绍高精度GPS网、精密水准网、济南似大地水准面精化、JNCORS系统的建立、数据处理及测试等有关情况,分析了济南市现代测绘基准体系的创新点和应用前景。     

基于DS18B20的测温系统设计

针对传统温度检测装置存在的问题,提出了以AT89S51单片机和单总线数字温度传感器DS18820构成的新型温度测量系统。介绍DS18820的特性、内部结构以及单总线技术的特点。详细论述了该系统的设计方案、硬件组成及软件设计流程图。经测试,基于DS18820的测温系统具有结构简单、测温精度高、稳定可靠的优点。     

10 Gb/s OEIC optical receiver front-end and 3.125 Gb/s PHEMT limiting amplifier

A 10 Gb/s OEIC (optoelectronic integrated circuit) optical receiver front-end has been studied and fab ricated based on the φ-76 mm GaAs PHEMT process; this is the first time that a limiting amplifier (LA) has been designed and realized using depletion mode PHEMT. An OEIC optical receiver front-end mode composed of an MSM photodiode and a current mode transimpedance amplifier (TIA) has been established and optimized by simu lation software ATLAS. The photodiode has a bandwidth of 10 GHz, a capacitance of 3 fF/μm and a photosensitive area of 50×50 μm~2. The whole chip has an area of 1511×666 μm~2. The LA bandwidth is expanded by spiral inductance which has been simulated by software HFSS. The chip area is 1950×1910μm~2 and the measured results demonstrate an input dynamic range of 34 dB (10-500 mVpp) with constant output swing of 500 tnVpp.     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。