工艺过程中生瓷带收缩问题研究

HTCC/LTCC的工艺过程中经常会出现生瓷带收缩现象,由此现象引起的系列工艺问题众多,尤其对于多层互连结构的产品影响很大,而一些工艺环节会加重生瓷带收缩现象出现的频率、收缩的程度。文章对于生瓷带收缩现象的产生原因进行了较为详细的分析与阐述,同时针对生瓷带收缩问题采用生瓷带预处理工艺,并着重对不同的预处理工艺进行试验对比。不同的生瓷带预处理工艺各有利弊,可以根据产品的各自特点综合考虑,采用合适的工艺方法对生瓷带收缩问题加以解决。     

具有非线性不确定性时滞系统控制算法的研究

在系统具有时滞性和非线性不确定因素的情况下,为保持Smith预估器与被控对象的一致性,运用非线性PI控制器,消除系统中不确定因素的影响。通过仿真试验,证明Smith预估器和非线性PI控制器算法的结合,可以使具有非线性不确定性的时滞系统达到理想的控制目标。     

螺旋线慢波结构色散特性与耦合阻抗测量系统误差分析

本文系作者研制的＂螺旋线慢波结构冷特性自动测量系统＂的补充,给出了此类系统测量误差的详细理论分析,并对典型数据进行了计算。结果表明色散特性（相光速比）的测量误差可小于0.5%,基波耦合阻抗的测量误差则可达15%。     

一种面向新一代可伸缩视频编码的上采样设计

可伸缩视频编码属于新一代H.265/HEVC视频编码标准中的关键技术。本文分析了其相关技术,针对传统空间可伸缩视频编码中的上采样过程运算复杂、时间延迟等缺点,借鉴双边滤波器,将内容自适应嵌入到上采样过程中,提出了一种新的非线性和内容自适应设计方法。通过理论推导得出了改进后滤波器的表示公式,并设计出了新的上采样实现流程。通过仿真实验验证了理论推导的正确性,并与传统方法进行了比较,结果表明该方法可有效地提高编码效率、降低系统复杂性。     

聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与 PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关     

暖气供热换热器开裂失效分析

某公司的CB300型暖气供热换热器于1994年开始使用,1999年11月发现发生锈蚀,多处起鼓包开裂,要求分析腐蚀及开裂原因。该换热器系瑞典进口,由不锈钢波纹薄板交叠铜钎焊而成。母材为Cr18Ni10奥氏体不锈钢,焊缝为纯铜。一次网为高温高压热水,水压力1.2MPa,水温12℃,Cl-为115～191mg/L,溶解氧4.2～8.7mg/L,pH6.65～8.32。二次网为用户取暖热水,水源为自来水或井水,其水质比一次网好。从一次网开裂面看,铜焊缝均已腐蚀开裂,残留在不锈钢板上的铜焊缝已失去紫铜光泽,变为黑灰色CuO,而且断口粗糙,而相对的不锈钢波纹板仍为银白色,但已发雾失光…     

光栅扫描显示系统的设计与实现

介绍一种相控阵雷达系统的光栅扫描显示系统的基本工作原理、设计思想和实现方法 ,分析该显示系统的硬件特点及关键技术、软件的设计思想及特点 ,并对该系统在外场实验中的结果进行分析     

纳米材料的电学、光学和光电性能及应用前景

简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用；纳米材料的光学性能和光电性能，高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件，由于其光电特性具有超快响应速度，可望在超快光电子器件中得到应用。     

A novel simplified process for fabricating a very high densityp-channel trench gate power MOSFET

A novel simplified fabrication method of a very high density p-channel trench gate power MOSFET using four mask layers and nitride/TEOS sidewall spacers is realized. The proposed process showed improved on-resistance characteristics of the device with increasing cell density and the cost-effective production capability due to the lesser number of processing steps. By using this process technique, a remarkably increased high density (100 Mcell/inch²) trench gate power MOSFET with a cell pitch of 2.5 μm could be effectively realized. The fabricated device had a low specific on-resistance of 1.1 mΩ-cm² with a breakdown voltage of -36 V     

Hydrogenated amorphous silicon thin film transistor fabricated onplasma treated silicon nitride

We have demonstrated that the performance of the inverted staggered, hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) is improved by a He, H₂, NH₃ or N₂ plasma treatment for a short time on the surface of silicon nitride (SiN _x) before a-Si:H deposition. With increasing plasma exposure time, the field-effect mobility increase at first and then decrease, but the threshold voltage changes little. The a-Si:H TFT with a 6-min N₂ plasma treatment on SiN_x exhibited a field effect mobility of 1.37 cm²/Vs, a threshold voltage of 4.2 V and a subthreshold slope of 0.34 V/dec. It is found that surface roughness of SiN_x is decreased and N concentration in the SiN _x at the surface region decreases using the plasma treatment