合成直链烷基苯的锆磷铝固体酸催化剂 I.催化剂合成及其影响因素

合成了一系列用于苯与直链烯烃烷基化反应的含有杂原子的磷铝分子筛固体酸催化剂 (MeZrAPO 5 ) ,同晶取代磷铝分子筛骨架中磷和铝的杂原子包括锆和至少一种选自硅、硼、镓、锗、铁、镁、锡等的元素。考察了晶化温度、晶化时间、杂原子种类、铝源等因素对催化剂合成的影响 ,探索了合成样品中模板剂脱除的最佳条件。结果表明 ,晶化温度高于 15 0℃、n(TEA) /n(Al2 O3 )≥ 1 5以及加入Zr原子都有利于直接生成MeZrAPO 5晶相 ;用小晶粒和高结晶度的铝源合成时 ,分子筛的结晶度高。     

金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。     

浅谈综合布线系统接地设计

综合布线系统作为建筑智能化不可缺少的基础设施,其接地系统的好坏将直接影响到综合布线系统的运行质量,故而显得尤为重要。本文介绍了综合布线系统接地的结构及设计要求,并提出在接地设计中应注意的几个问题。     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

模糊数学识别火山岩岩性

针对火岩地层岩性识别成功率低的状况，应用模糊数学原理，建立模糊数学识别火山岩岩性模式，识别和划分火山岩地层岩性，以便进一步深入研究火山岩油气藏储层，选择8个反映火山岩岩性测井参数，确定阈值；利用所建立的火山岩岩性识别模式，对火山岩岩性进行分类；依据最大隶属原则，识别火山岩岩性，应用实地研究资料，识别10种火山岩岩性，并与岩心鉴定统计分析结果对比，一致性达85％。表明该方法识别火山岩岩性精度较高，在地质上具有很好的应用前景。     

钨合金圆筒爆破试验破片分布的统计分析

采用圆筒爆破试验方法研究了易碎型钨合金的破片分布特征,并与93W合金的结果进行了对比.对破片的数量和质量分布特征进行了统计分析,发现易碎型钨合金的破片率明显高于93W合金,而且破片的均匀性也明显好于93W合金,但易碎钨合金的破片回收率低于93W合金,而且受装药量的影响较大.     

高温预析出对Al-Zn-Mg系铝合金时效硬化和应力腐蚀的影响

研究了高温固溶后降温处理工艺对中强可使预析出LC52和7039铝合金的组织、时效硬化和应力腐蚀的影响。金相观察发现,高温预析出可优先在晶界处产生,并提高随后时效状态下晶界析出相的不连续分布程度,温度降低到一定程度晶内和晶界产生大量析出。合金拉伸性能和应力腐蚀结果表明,预析出在保持强度和塑性的同时,可提高抗应力腐蚀性能。而预析出温度降低,合金强度呈下降趋势。     

在不断创新中开创新的百年——水口山有色金属集团有限公司110年创新发展历程和展望

回顾了水口山有色金属集团有限公司的发展历程，概述了取得的技术进步和主要成就．提出了企业今后的发展方向。     

JOINING MECHANISMS OF β''''-Al2O3 CERAMIC AND PYREX GLASS TO Al MATRIX COMPOSITE

The bonding of β'-Al2O3 and pyrex glass to Al matrix composites by anodic bonding process is achieved. The microstructure of the bonded interface and the joining mechanisms are analyzed with scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer (EDX). It is observed that the bonding region across the interface consists of the metal layer, oxide transitional layer and the ceramic layer, with the transitional layer composed of surface region and sub-surface region. The bonding process can mainly be categorized into anodic bonding process and solid state diffusing process. The pile-up of the ions and its drift in the interface area are the main reasons for anode oxidation and joining of the interface. The temperature, voltage and the drift ions in the ceramic or glass during the bonding process are the essential conditions to solid state diffusing and oxide bonding at the interface. The voltages, temperature, pressure as well as the surface state are the main factors that influence the anodic bonding.