氩弧重熔对管线钢接头表层组织的影响

采用氩弧重熔单道和多道处理管线钢接头，不公使焊缝表层的柱状晶组织细化，而且使接头焊趾部位出现圆滑过渡，同时也细化了焊趾部位热影响区的粗大晶粒。接头表层组织的细化和焊趾部位的圆滑过渡都有利于提高管线钢接头的疲劳和腐蚀性能。     

金、银、铂、钯合金中钯的选择性滴定方法的研究与应用

建立了丁二肟选择性沉淀分离和析出EDTA-Pd络合物中的EDTA,Pb(NO3)2返滴定测定Pd的新方法,系统地研究了在硝酸或盐酸介质中测定Pd的条件,并对比了本法与《国家标准》分析方法的结果.研究表明:2种方法测得Pd的结果吻合,测定5～30mg Pd,相对误差-0.17% ～ 0.20%;但拟定方法的选择性好,适用性强,分析快速,操作简便、易于掌握.方法已应用于Au、Ag、Pt、Pd合金中5%～99%的Pd含量的测定,结果满意.     

Al_2O_3涂层对高温合金K38G热腐蚀的影响

用直流反应溅射方法在镍基高温合金K38G上制备了Al_2O_3涂层,研究了涂覆(Na、K)_2SO_4的试样在1123K空气中的热腐蚀行为。实验表明,Al_2O_3涂层具有良好的粘附性,能降低K38G合金的腐蚀速率并减小腐蚀深度。本文还讨论了Al_2O_3涂层对K38G热腐蚀影响的机制。     

含铁铜基陶瓷复合材料高温氧化行为与耐磨性研究

在25,250,350和450℃高温摩擦磨损实验条件下,对两种不同铁含量的Cu基摩擦材料进行高温氧化行为及耐磨性研究。结果表明:Fe在Cu基体中的尺寸、分布影响Cu基摩擦材料的高温抗氧化性和耐磨性,随实验温度升高,Cu基摩擦材料试样中Cu氧化产物为Cu2O,Fe从Fe2O3转变为Fe3O4,金属氧化膜厚度逐渐增加;Fe以小尺寸、均匀分布于Cu基体时,更有利于提高Cu基体整体的抗氧化性能,在350~450℃可形成稳定的氧化膜降低粘着磨损,展现出了较好的高温耐磨性能;而Fe以较大尺寸分布在Cu基体中时,则使Cu基体出现氧化不均匀现象,不利于高温耐磨性能的提高。     

薄板焊接型机车齿轮罩加工工艺的改进

通过实例分析，得出薄板焊接结构件自然时效周期远远小于实心件周期，并对其机理进行了分析。     

MSP试验法在陶瓷材料性能评价中的应用

利用MSP(Modifed Small Punch)试验法对几种常见的陶瓷材料进行了力学性能测试,分别得到它们的负载-位移曲线,从而获得曲线的线性段斜率以及MSP强度.实验结果证明,利用简便的MSP试验法可以较好的表征各种陶瓷材料的破坏行为,并且MSP负载-位移曲线的线性段斜率和杨氏模量成正比,而MSP强度和三点法弯曲强度也有很好的对应关系.利用这种关系得到经验公式,可以从测得的线性段斜率和MSP强度来评价杨氏模量和弯曲强度.     

汽车制动器油缸金属模铸造缺陷分析及数值模拟

汽车制动油缸是汽车液压制动系统中的重要部件．由于该零件是在高压环境下工作的，并要求具有较高的安全系数．因此对零件气密性要求较高，对铸件的质量要求也就非常高。以一典型主制动油缸产品为例，分析了铸件缺陷的形成原因，并进行了浇注及凝固过程的计算机模拟仿真，对原来的工艺方案及模具结构进行了修改，应用于生产中获得了很好的效果。     

环境条件下Ni3Al类型金属间化合物的疲劳行为

综述近年来Ni_3Al类型金属间化合物疲劳行为的研究进展，着重讨论了温度和介质对材料疲劳性能的影响。氢和水蒸汽的存在促进了裂纹的扩展；试验温度的升高使Ni_3Al类型合金的疲劳裂纹扩展速率增大。     

MLCC三层镀中甲基磺酸镀锡体系工艺条件对锡镀层性能影响的研究

研究了片式多层陶瓷电容器(MLCC)三层镀中甲基磺酸镀纯锡体系pH值、温度、电流密度等工艺条件及杂质金属离子对镀液稳定性、镀层结构和性能等方面的影响。从电流效率、沉积速度及锡镀层表面的扫描电镜等方面,对比了不同pH值、温度、电流密度以及锡镀液中掺杂Cu2+、Ni2+后对锡镀层结构和性能的影响。研究结果给出了电镀工艺中最佳的pH值为3.5±0.2、温度为(23±2)℃、电流密度可以有较宽的范围,当镀液中掺有镍、铜等杂离子会对镀层产生负面影响,在给出的工艺参数下电镀,可以确保镀出最佳的纯锡镀层。     

电沉积法制备CuInSe2薄膜的组成与形貌

采电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料，研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明：最佳的沉积电位范围为-0．6～0．8V（vsSCE）；硒化退火是获得高质量CuInSe，薄膜的必要过程，硒化退火温度应控制在440～610℃范围内；在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中，通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜；沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加，晶型完善，且杂相减少；随着电解质浓度的增加，电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好，颗粒变得粗壮，致密性也有所改善；电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大，当沉积电位为-0．7和-0．8V时，铜铟摩尔比约为1较为理想，且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。