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61.
研究了稳定ZrO_2和部份稳定ZrO_2对β″-Al_2O_3陶瓷的强化和韧化作用,观察了不同种类、不同含量的ZrO_2对β″-Al_2O_3陶瓷的显微结构、力学性能和电导率的影响,探讨了β″-Al_2O_3的韧化机理。  相似文献   
62.
报道了4,4′-硫代双[2-(1,1-二甲基乙基)-5一甲基苯酚]的合成方法及结构鉴定。  相似文献   
63.
The width of the transition layer between the crystalline and amorphous zones in nylon 1010 was determined by SAXS with point collimation and long-slit collimation, respectively. The width of the transition layer, E, was found to be 1.7 nm. The results show that the width of the transition layer is independent of crystallinity.  相似文献   
64.
We have studied lamp configuration design for rapid thermal processing (RTP) systems. We considered a configuration consisting of four concentric circular lamp zones, three of them above the wafer and one circumventing the wafer. We propose a method to determine the geometric parameters, the width, height and radius, of the lamp zones so that the configuration designed has the capacity to achieve a uniform temperature on the wafer. The method is based on a necessary and sufficient condition for uniform temperature tracking and analytic expressions of the view factors. A design example is given in which a least square open-loop control law yields good temperature uniformity  相似文献   
65.
66.
Two coupled-mode theories based on individual waveguide modes and compound system modes, respectively, are briefly reviewed with proper modification and new comments. The relation between these two theories is built and it is found that one theory is actually an efficient approximation of the other. Also, the reason why the results obtained with the first more accurate than those obtained with the second is found. The constraint on both approaches is shown  相似文献   
67.
A technique for SiO2 formation by liquid-phase deposition (LPD) at nearly room temperature for low-temperature processed (LTP) polysilicon thin-film transistor (poly-Si TFT) was developed. LPD SiO2 film with a lower P-etch rate shows a dense structure. LPD SiO2 also exhibits good electrical characteristics. LTP poly-Si thin-film transistors (TFTs) with LPD SiO 2 as the gate insulator have been fabricated and investigated. Their characteristics indicate performance adequate for their use as pixel transistors in liquid crystal displays (LCDs)  相似文献   
68.
69.
研究了3,5-二溴-4-氨基苯基荧光酮、3,5-二溴-4-偶氮变色酸等8种苯基荧光酮在酸性介质中与高价金属离子Zr(Ⅳ)、Mo(Ⅵ)、W(Ⅵ)、Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)等的显色反应。3,5-位二溴取代的试剂的灵敏度高于未取代的灵敏度,摩尔吸光系数绝大多数在105L·mol-1·cm-1以上。  相似文献   
70.
从热力学理论出发,利用X射线衍射定性和定量的方法,对β-C_2S固溶体的稳定性进行了分析和研究。经热力学理论推导得出β-C_2S稳定的热力学条件,即掺入的微量元素的化学位μ_i须小于β-C_2S的反应自由焓△G_β,μ_i<△G_β.并定量地计算出一种微量元素稳定β-C_2S的临界掺加量为;多种微量元素对β-C_2S的稳定性判断条件为:  相似文献   
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