泥沙输移矢量式及其应用

本文基于Parker等人泥沙输移矢量式的分析和研究，增加了上举力的作用，并考虑了泥沙颗粒受力非平衡条件，采用牛顿力学的矢量分析法，推导了泥沙输移的通用矢量式。经对公式简化，且用Ikeda和笔者试验资料的验证，证明计算值与试验值吻合较好。     

Quasi-saturation capacitance behavior of a DMOS device

This paper reports a simulation study on the capacitance characteristics of a double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS) device operating in the quasi-saturation region. From the analysis, the capacitance effect of the gate oxide upon the drift region cannot be modeled as an overlap capacitance, because the drain-gate/source-gate capacitances of the DMOS device may exceed the gate-oxide capacitance due to the larger voltage drop over the gate oxide than the change in the imposed gate bias when entering the quasi-saturation region. This effect can be the explanation for the plateau behavior in the gate charge plot during turn-on and turn-off of the DMOS device. Based on the small-signal equivalent capacitance model, the accumulated charge in the drift region below the gate oxide may thoroughly associate with the drain terminal in the prequasi-saturation region and with the source terminal in the quasi-saturation region     

光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作

随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究，并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作，在普通光学光刻机上制作出宽度小于０．２５μｍ细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的制作中。     

印制板液态感光阻焊油墨的工艺控制

本文介绍印制板液态感光阻焊油墨的工艺流程、工艺控制，并对生产中较常出现的几种质量问题进行讨论，进而提出解决措施。     

脉冲化学沉积非晶态Ni—P合金原子分布函数研究

采用Ｘ射线衍射分析技术，研究了脉冲化学镀非晶态Ｎｉ－Ｐ合金的原子分布和函数，得出其短程有序原子集团的尺度为０．７５４ｎｍ，约为熔体激冷法获得的非晶态Ｎｉ－Ｐ合金短程有序畴的１／２。并利用脉冲化学沉积非晶态合金的微机制择这一结果进行了解释。     

长25-29井卡钻事故的处理

长２５－２９井在完井阶段通井过程中发生粘附卡钻事故，在处理卡钻过程中又发生卡套铣筒、井漏、溢流等事故及复杂情况。通过对井下情况的认真分析，采取先堵漏后循环再解卡的处理方案，顺利地解除了该次卡钻事故，大大地减少了经济损失。     

DST压恢法在大港油田的应用

非自喷井解释方法一直是困扰试井界的难题之一。自1995年底应用DKS2．0软件中DST压恢分析法先后处理了大港油田200多层实测资料以来，发现一部分井与常规分析法的处理结果完全不同。这些井多出现在均质无限大油藏，且其压力及压力导数曲线开口小、导数曲线驼峰较小。通过对DST压恢分析法在大港油田应用情况的分析，认为此方法适用于均质非自喷井，尤其是处理低渗且地层受污染井的结果比较符合地层的实际地质情况，其成果的应用对地层改造有一定的指导作用。     

基于可寻址分支分配器的CATV收费系统

给出了一种基于可寻址分支分配器的ＣＡＴＶ收费管理系统设计方案，并着重介绍了系统的工作原理及可寻址分支分配器的设计。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。