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Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
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N. Boukortt  S. Patan&#;  G. Crupi 《SILICON》2020,12(7):1585-1591
The miniaturization has become a key word for advanced integrated circuits over the last few years. It is within this context that the fin field effect tra  相似文献   
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