基于双线性对的k-匿名隐私保护方案研究

针对移动互联网环境下位置服务的隐私保护问题,基于双线性对性质和k-匿名的思想,提出了一个高服务质量的隐私增强方案。通过终端在欧几里得距离环形区域内均匀生成2k个虚假位置,利用位置熵、位置分散度和地图背景信息从中筛选出k-1个虚假位置,进而达到更优的k-匿名效果。通过安全性分析,本方案不仅满足隐私性、匿名性、不可伪造性等安全特性,而且能够抗查询服务追踪攻击;仿真实验表明,本方案虚假位置节点选取具有更优的均匀度,同时在假节点生成和选取效率也有所提高。     

PDM型立磨在矿渣粉磨中的应用

针对目前球磨机粉磨超细矿渣的缺点，本文探讨使用PDM型立磨来生产超细矿渣。研究表明，经过改造的立磨－－PDM型立磨生产的超细矿渣的粒度、活性系数等性能均与球磨机粉磨的矿渣相当，但立磨的电耗、磨损远小于球磨。     

水杨醛型Schiff碱配合物的合成、表征与磁性研究

以乙醇为溶剂、水杨醛缩邻氨基苯酚(L)与过渡金属(M)硝酸盐或醋酸盐作用,制得了6个LM及6个L2M配合物(合成过程中须将反应混合液蒸馏至干才能得到Cr、Fe、Ni的配合物)。对所制备的配合物进行了摩尔电导、磁化率、DTA、SEM、UV、IR等表征。结果表明:LM(M=Cr3+、Mn2+、Fe3+、Co2+)为平面正方形场低自旋型;LNi、LCu及L2M(M=Mn2+,Co2+,Cu2+)为四面体场高自旋型;其余经蒸馏得到的L2M(M=Cr3+,Fe3+,Ni2+)则为八面体场配合物。配合物均为顺磁性,除LCr、LFe、LCu及L2Cu也有电子轨道运动的贡献外,磁性主要是电子自旋运动的贡献,LM分子中有水参与配位,并有分子内氢键形成。     

α－SiC：H薄膜的热行为研究

采用射频反应溅射工艺沉积了α—SiC:H薄膜。利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α—SiC:H薄膜的脱H过程和相转变温度，353．2℃脱Si—H和602．6℃脱C—H，并在1080℃相变结晶。在氨气流保护下的光热炉内进行热处理，Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明，400℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键，促进薄膜致密，并能提高其在紫外部分的反射率，降低红外区域的反射率。热处理温度超过500℃，容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用。     

黑方台焦家4号黄土滑坡发育特征及滑动机理

20世纪60年代以来,大量的灌溉系统在黄土地区建设运营,解决了农业的干旱问题,但同时灌溉也诱发了大量的滑坡。其中,2015年1月28日20:00,甘肃省永靖县焦家村发生了一起中等规模的黄土滑坡,滑坡严重影响其下方309国道线和六盘峡水库的安全。采用对裂缝分布、水文地质的调查,结合低空摄影测量、精细工程地质测绘、室内三轴试验等研究方法,对焦家4号滑坡的基本特征进行了分析,对形成滑坡的成灾机理有了初步认识。结果表明:(1)滑坡发生前,后缘裂缝有明显的变形情况;(2)滑坡滑动距离为548.3 m,体积为15.35万m~3,面积为6.6万m~2;(3)饱和黄土应力应变模式表现为强烈的应变软化剪缩型,并具有一定的静态液化特性;(4)滑坡是饱和黄土层静态液化引起的。     

原位生成甲基丙烯酸钠增强EVM硫化胶的性能

通过氢氧化钠（NaOH)和甲基丙烯酸（MAA）的中和反应，在乙烯－乙酸乙烯酯橡胶（EVM）中原位生成甲基丙烯酸钠（NaMAA)，研究了NaMAA原位增强EVM的流变特性，应力软化和应力松弛以及老化前后的力学性能，并与炭黑（N330）增强的硫化胶进行对比，结果表明：NaMAA的引入对EVM混炼胶的门尼粘度几乎没有影响，但在硫化过程中提高了混炼胶的硫化速度，缩短了焦烧时间，与HAF相比，NaMAA对EVM硫化胶具有更好的增强效果，较好的耐老化性能，NaMAA增强的EVM硫化胶具有更明显的应力软化效应，应力松弛程度更大。     

淀粉-聚乙烯醇可生物降解塑料研究进展

本文详细综述了近年来国内外淀粉基聚乙烯醇塑料的研究进展。     

采用不同锰源合成尖晶石LiMn2O4正极材料

The spinel LiMn2O4 cathode material was synthesized with the solid-state reaction method. Four manganese compounds including electrolytic manganese dioxide (EMD), MnCO3, Mn3O4 and nano-EMD were used as Mn sources while LiOH·H2O was used as the uniform Li source. The crystal structure characteristics of these samples produced were investigated by means of XRD, SEM, particle size distribution analysis and specific surface area testing. Their electrochemical properties were also studied by comparing their specific capacity, charge and discharge efficiency and cycle performance.     

低熔点合金填充聚合物材料断口形貌研究

研究了合金元素、加工温度、金属含量、第三组分对低熔点金属填充聚合物材料断口形貌的影响。实验结果表明:不同的合金对体系的影响很大,低分子量、低结晶性聚合物,高的成型加工温度可提高材料的相容性。     

采用改进的温梯法生长氟化钙晶体

对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分.通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件.生长了尺寸为φ135 mm×150 mm氟化钙(CaF2)晶体,生长的CaF2晶体质量较好,位错密度＜330/mm2,从190 nm到9000 nm透过良好,紫外200 nm处和红外9 μm处透过率可达80%以上.