Cs-K混合蒸气中Cs(8D)+K(4S)碰撞能量转移

在Cs-K混合蒸气中，两步激发Cs原子到8D态，观察了Cs(8D) K(4S)→Cs(5D) K(4P)碰撞能量合并逆过程(REP，reverse energy pooling)。应用双调制技术探测K(4P)原子发射的荧光，基态K原子密度用光学吸收方法测量。得到了REP速率系数，讨论了其它过程对速率系数的影响．     

可拓知识空间和可拓知识网格模型(Ⅱ):可拓知识网格

第1部分中已介绍了可拓知识空间定义和相关操作，以及可拓知识空间关联函数计算方法。这一部分进一步建立可拓知识空间语义网、可拓知识网格和可拓知识网格服务，并给出实例和相关的分析讨论。     

电子电路中抗EMI设计

电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。     

用金字塔图法匹配边界图象的三眼立体视觉方法

本文在分析了双眼立体视觉面临的本质困难之后，提出了用金字塔图法匹配特征基元的三眼立体视觉方法，这种方法由于建筑在透视投影几何原理的稳固基础上，无须任何先验限制，也不以图象相似性为基础，故可较好地解决精度与匹配难度的矛盾，且运用金字塔图法进行匹配传播使在保证精度的基础上，匹配速度大大提高，对计算机人工图象的匹配结果表明，误匹配率几乎为零，且有较高的匹配速度和精度。     

计算机集成制造系统（CIMS）国际发展动态

ＣＩＭＳ（计算机集成制造系统）是世界上高技术开发项目之一．ＣＩＭＳ是涉及广泛技术领域的复杂系统，当前的研究课题覆盖了ＣＩＭ中方法学、技术和应用领域的部分内容．本文简要讨论ＣＩＭＳ的国际发展动态．     

Microstructure-Property Correlation in AI_4C_3 Dispersion Strengthened Al Composite

The microstructure and tensile properties of Al_4C_3 dispersion strengthened Al composite fabricatedby reaction milling technique were investigated.It is indicated that the rod-like Al_4C_3 dispersoidshaving a diameter of 0.02-0.03 μm and a length of 0.1-0.3μm are formed by reaction of C with Al,and uniformly distributed in the Al matrix.The interface between Al_4C_3 and Al is clean and theinterfacial bonding is good.The matrix consists of the subgrains which have the size of 0.3-0.4μm,and most of the Al_4C_3 dispersoids are distributed on the subgrain boundaries.The 11 vol.-%Al_4C_3/Al composite exhibits an UTS (ultimate tensile strength) of 400 MPa and anelongation-to-failure of 8.0%.     

工艺因素对金属封装外引线弯曲疲劳的影响

考察了金属封装外壳制造工艺对外引线弯曲疲劳的影响,发现电镀镍是导致外引线弯曲次数明显减少的最主要工艺步骤,且随镀镍层厚度的增加,弯曲次数减少。此外还讨论了外引线的氢含量和晶粒度对引线抗疲劳能力的影响。     

既有钢筋混凝土框架结构抗震加固若干问题探讨

针对钢筋混凝土框架结构抗震加固问题的复杂性 ,本文深入分析了抗震加固结构的受力特征 ,探讨了卸荷对加固构件承载力的影响 ,并针对抗震加固后的“隐含危险转移”问题提出了相应的对策。最后 ,提出了抗震加固的基本原则 ,可供结构抗震加固时参考     

复相材料的循环变形行为

对三种组织状态的F-M复相钢进行了对称和非对称循环加载条件下的形变研究.结果表明,双相钢的循环变形行为,不仅与组织中位错组态的演变过程有关,同时也受循环载荷大小、类型以及加载方式所影响.分析表明,双相钢的循环硬化、软化行为主要受控于两个基本过程,即循环变形时位错组态演变的物理过程和相间分载应力的转嫁、相间残余应力变化的力学过程.     

Mg_(0.15)Zn_(0.85)O:Tb合金薄膜的阴极射线发光性质研究

采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。