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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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对欧洲的立法者来说,目前最为关注的课题之一便是如何解决数字鸿沟这一困扰欧洲大陆信息与通信技术整体发展水平的矛盾。向人们提供高速因特网接入服务是消除数字鸿沟的有效手段,而无线数字用户线技术以及其成低、通信质量好、覆盖范围大及灵活性等优势成为宽带接入技术中的佼佼者,并获得很多欧洲国家电信运营商的青睐。 相似文献
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