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111.
设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.  相似文献   
112.
微型无阀泵参数化结构设计及测试   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 从理论计算和试验两方面研究了用于微流控化学分析芯片的微型无阀泵流动特性,初步建立了微型无阀泵流道结构的数学模型,重点讨论了结构参数的选取原则及相应的流动阻尼系数的计算方法. 通过试验验证了数值计算的可靠性,为微型无阀泵参数化设计及优化提供了理论依据及经验曲线.  相似文献   
113.
预处理工艺对硬质合金与金刚石膜间粘结力的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在两种经不同预处理的硬质合金YG8基底上,采用微波等离子体化学气相沉积法,在微波功率2kW,压强4.0kPa和6.5kPa,CH4和H2流量分别为1.6cm/s和100.0cm/s的条件下生长金刚石薄膜。利用X射线衍射检测了金刚石薄膜是否存在,用拉曼光谱分析了薄膜的质量,用金相显微镜观察了薄膜的洛氏硬度压痕,标定并比较了不同预处理工艺膜与基底的结合力。实验结果表明,不同的预处理方法对于粘结力的影响不大,最主要的因素是钴含量的多少。  相似文献   
114.
By using mathematical formulae developed in previous studies, certain pollution parameters of dye effluent obtained from reactive dyeing with a single dye can be predicted with good accuracy. In this study, the degree of pollution of reactive dyeing effluent using dye mixtures was also predicted by other approaches, such as linear and non-linear regression. The prediction accuracy was found to be satisfactory.  相似文献   
115.
超细水泥封堵技术   总被引:5,自引:1,他引:4  
注水开发后期日益出现的地质问题及油套管的严重损坏,制约了油田的开发效果。针对河南油田注水开发中存在的上述问题,通过对超细水泥堵剂配方、堵剂性能、适应性等方面的研究,可实现对油井的高含水层、注水井的停注无用层、油水井套管外窜槽、穿孔、丝扣处的漏失等方面的封堵,取得了显著效果。自1998年8月-2001年12月在河南油田应用61井次,有效率85.3%,其中油井36井次,年度累计增油1.441×104t,降水7.6123×104m3;水井封堵25井次,累计增注14.32×104m3,控制无效注水16.95×104m3,创效益1800多万元,投入产出比达1:11.36,具有广泛的推广应用价值。  相似文献   
116.
针对中国压铸行业的现状和存在的问题 ,以及当前的机遇和面临的挑战 ,论述了中国压铸工业进入 2 1世纪所面临的新形势及应采取的对策  相似文献   
117.
研究了半固态ZnAl27合金及其二次加热组织。结果表明,半固态ZnAl27合金基本无宏观偏析,其组织为细小均匀的近球形非枝晶,综合力学性能远远高于常规铸造合金;二次加热后,α相进一步球化,边缘变得光滑圆整,可以满足半固态触变成形的需要。  相似文献   
118.
利用CFD获取超声流量计截面速度分布   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
鲍敏  傅新  陈鹰 《工程设计学报》2002,9(2):101-102
 通过CFD技术在超声波流量计设计过程中的引入,为流量系数的获取提供了新的途径.通过对特定管道的理论计算表明,采用CFD技术获取的管道内部流型完全可以与试验数据吻合,有助于超声波流量计应用场合流量系数曲线的获取及其精度的保证.  相似文献   
119.
大颗粒尿素造粒工艺简介   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了大颗粒尿素造粒工艺,着重介绍了荷兰NSM公司的流化床造粒技术和法国K-T公司的流化床转鼓造粒(FDG)技术。  相似文献   
120.
新型高k栅介质材料研究进展   总被引:5,自引:0,他引:5  
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。  相似文献   
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