激光扫描加工图形控制模型的研究

针对激光扫描加工中存在固有图形畸变的情况,提出了DEA(dual-ends approch)控制模型。由于该模型不仅考虑了透镜焦距f、激光入射角θ、振镜偏转角和光学镜组之间的距离,而且还考虑了透镜中心厚度、透镜曲面曲率半径以及透镜介质折射率,因此提高了激光扫描加工系统的加工精度,减小了加工误差。同时利用VC++6.0编制了一个对话框程序,对传统fθ控制模型和DEA控制模型进行了分析比较,结果显示,DEA控制模型能正确表达所设计的加工图形,其精度高于fθ图形控制模型。     

聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究

用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA：5CB：C60)，C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性，实验发现，液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。     

复杂目标的近场散射特性分析

详细分析了目标散射随距离而变化的特征，根据散射特点的不同将目标的散射特性分为远场散射、准近场散射、近场散射等三种情况，并对三种情况下的描述的手段进行了讨论，提出在近场条件下，用反射功率比的概念直接对散射目标的特性进行描述。     

起升中四腿落地式K型井架及底座的应力分析

针对在用四腿落地式K型井架在起升中井架与底座存在的问题,文章以JJ162/42-K型井架为例,采用I-DEAS有限元软件对起升过程中处于各角度时的井架及底座做了应力分析,并将其结果与两腿落地式K型井架进行了比较。分析表明,四腿落地式K型井架及底座在井架刚起升时,应力值较大,存在安全隐患。为了增强在井架起升过程中底座的安全性,建议在底座上井架2个铰支座之间加焊加强钢板,并加大井架前立柱铰支座的尺寸。     

基于竞争终端个数和跳数的802.11Mesh网络公平性优化机制

设计了一种基于竞争终端个数和跳数的公平性优化机制通过调整MeshAP的协议参数来改善不同跳数间竞争终端的公平性,同时,根据同一MeshAP下竞争终端的个数,按照预先设定的区间,动态调整其下各终端的协议参数,从而在改善系统传输性能的同时,进一步优化不同跳数间竞争终端的公平性.给出了这一机制的详细实现步骤,并利用ns2,对这一新的机制在各种场景下进行了大量的仿真实验.相关实验结果验证了这一优化机制不仅算法简单,系统开销小,适合于复杂多变的无线环境,而且能够根据竞争终端个数动态对无线系统中不同跳数下的竞争终端的公平性进行整体的优化.     

加氢渣油催化裂化七集总动力学模型的建立

以加工加氢渣油的茂名石化3^＃重油催化裂化装置的工业数据为基础，针对加氢渣油的特点，提出了以渣油四组分作为划分原料集总基础的催化裂化七集总动力学模型。通过变尺度法（B-F-G-S）和龙格库塔法确定动力学参数，并通过工业实测数据验证，表明该模型具有良好的拟合性和外推性，较好地反映了加氢渣油催化裂化反应规律。     

基于AFM的微结构加工实验研究

本文建立了微动工作台和原子力显微镜相结合的微加工系统，在该系统上采用金刚石针尖进行微加工实验，与SPI系统本身的刻划软件刻划出的图形进行了比较分析，得出这个系统适合微结构的加工；并给出了采用该方法加工的1111面及多边形面微结构；还分析了金刚石针尖几何角度及SPM和工作台的相关参数对加工的影响。     

单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

V波段小型化低相噪频率综合器

本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm³,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.     

Simulations of Temperature Field in HFCVD Diamond Films over Large Area

A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep