针对网络不良信息的字词过滤系统设计

复杂网络环境中的不良信息处理技术需要不断更新改进。针对大量不良信息难以及时准确予以过滤净化的问题,重新设计一套字词过滤系统。详细介绍该系统中后台数据库维护、随机数据抽取、信息处理、模式匹配、审核过滤等模块的功能,并给出程序实现流程。     

如何将党建工作贯穿于企业的生产经营管理之中

党建和思想政治工作只有贯穿于企业的生产经营管理之中,实现两者的无缝对接,才能使党建工作充满活力,起到保驾护航的作用。本文围绕这一论题展开了阐述,提出了解决问题的办法,为提高企业生产经营管理水平进行了有益的尝试。     

一种双U形缺陷地结构低通滤波器的设计

基于双U形缺陷地结构设计了一种低通滤波器。首先利用三维电磁场仿真软件分析了双U形DGS结构的S参数频响特性,然后利用该DGS结构加工制作了DGS结构低通滤波器,实验室测得该滤波器3 dB截止频率为3．26 GHz,通带范围内波纹最大是0．4 dB。插入损耗大于20 dB的阻带宽度为5．2 GHz。     

Evolution of insoluble eutectic Si particles in anodic oxidation films during adipic-sulfuric acid anodizing processes of ZL114A aluminum alloys

The effects of insoluble eutectic Si particles on the growth of anodic oxide films on ZL114A aluminum alloy substrates were in-vestigated by optical microscopy (OM) and scanning electron microscopy (SE...     

THE IONIZATION THEORY OF DESULPHURIZATION WITH THE BLAST-FURNACE-TYPE SLAGS

根据新提出的碱度指标,对低碱度高炉型渣的离子结构作了假定。利用前文提出的、适用于各种碱性炼钢型渣的硫分配比公式: (％S)/[％S]=32L_Sf_S/γ_(Fe~(2+))γ_(S~(2-))·(∑n+∑n-)/n_(FeO)对Hatch和Chipman,Taylor和Stobo以及等的饱和碳铁液和高炉型渣平衡实验数据进行处理分析,得出: Igγ_(Fe~(2+))γ_(S~(2-))=-53.5 N_(O~(2-))+2.12。进一步计算证明了该硫分配比公式也适用于一般的低碱度渣。对碱性炼钢型渣适用的、关于FeO含量对脱硫作用的规律证明了也适用于低碱度渣。将f_S与(％S)/[％S]合并考虑,则(％S)/α_S基本上不受温度和铁液成分的影响。     

卧式加工中心试验模态分析

应用变时基采样的锤击法对卧式加工中心进行了试验模态分析，研究了该加工中心的动态特性，获得了感兴趣低频段的加工中心低阶固有频率。通过对整机各阶模态振型的分析，找到了加工中心结构的薄弱环节，为进行结构的优化设计指出了改进的方向。     

国内外不锈钢精炼剂研究发展现状

分析了精炼剂组元元素的作用能力，讨论并总结了精炼剂组元的复合作用，介绍了几种国内、国外精炼剂产品，提出发展高效复合精炼剂的想法。     

如何提高模具质量

介绍了提高模具质量的基本途径，分析了模具的正确使用与维护对其寿命的影响。     

钨钴硬质合金电化学蚀刻加工研究

对YG6硬质合金电化学蚀刻工艺进行了研究,提出了采用光致抗蚀剂作保护膜,在生成一定钝化膜的情况下进行电化学蚀刻的方法.在一定的蚀刻深度范围内,该工艺的可控性好、腐蚀区表面质量较好.     

Preparation and characterization of GaN films grown on Ga-diffused Si （111） substrates

Hexagonal GaN films were prepared by nitriding Ga2O3 films with flowing ammonia. Ga2O3 films were deposited on Ga-diffused Si (111) substrates by radio frequency (r.f.) magnetron sputtering. This paper have investigated the change of structural properties of GaN films nitrided in NH3 atmosphere at the temperatures of 850, 900, and 950℃ for 15 min and nitrided at the temperature of 900℃ for 10, 15, and 20 rain, respectively. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to analyze the structure, surface morphology and composition of synthesized samples. The results reveal that the as-grown films are polycrystalline GaN with hexagonal wurtzite structure and GaN films with the highest crystal quality can be obtained when nitrided at 900℃ for 15 min.