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51.
The synthesis of thermal-shock-resistant materials from the system Ta2O5WO3 was investigated. Ta2WO8 had a very low unit-cell thermal expansion coefficient (+0.5 X 10–6° C–1). Ta30W2O81 also had a relatively low coefficient (+4.0 X 10–6 ° C–1) and a thermal durability over 1600° C. The thermal expansion curves of these polycrystalline ceramics were lowered because of microcracks caused by the large thermal expansion anisotropy of the crystal axes and were accompanied by hysteresis loops. The densification of Ta2WO8 ceramic was promoted by the addition of some metal oxides, and the strong ceramic of Ta30W2O81 was obtained by controlling grain growth.  相似文献   
52.
53.
54.
55.
随着电容测量技术的迅速发展,电容传感器在非电量测量和自动检测中得到广泛应用,但它在使用过程中也存在一些问题,针对在使用电容传感器过程中存在的几个问题,从电容传感器的原理和工作过程两个方面进行了讨论,并提出行之有效的处理方法。  相似文献   
56.
In this article we report the system structure and test results of an experimental optical burst switching network with three edge router's and one core node. Wavelength-selective switches developed for this system and their characteristics are depicted. The implementation and performance of our new scheme for the just-in-time protocol are described. We also report experimental results of FTP and VOD services on this system. Some parameters, including traffic rate, average burst data length, and assembly time, are studied.  相似文献   
57.
ShuJing Li  FeiPeng Wu  MiaoZhen Li 《Polymer》2005,46(25):11934-11939
Methylated-β-cyclodextrin (Me-β-CD) was used to complex the photoinitiator, 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone (DMPA), yielding a water-soluble host/guest complex. The comparative studies demonstrated that the Me-β-CD complexed DMPA exhibited a high photoreactivity identical to the uncomplexed DMPA, while the CD complex obviously influenced the products of primary photolysis of DMPA and the photopolymerization kinetics due to the steric effect of CD on the subsequent initiation reactions. The photopolymerization rate of acrylamide can be described by the equation: Rp=K[2a]0.62[M]1.37[I]0.5[Me-β-CD]0. The mechanism of polymerization was also discussed.  相似文献   
58.
通过修改工艺配方,自动完成对成型鼓鼓肩位置极限的设定,并且该软极限的大小根据工艺参数的不同可以自动调整,最终达到了对成型鼓的保护,实际使用效果好.  相似文献   
59.
60.
Stress analysis of spontaneous Sn whisker growth   总被引:5,自引:0,他引:5  
Spontaneous Sn whisker growth is a surface relief phenomenon of creep, driven by a compressive stress gradient. No externally applied stress is required for the growth, and the compressive stress is generated within, from the chemical reaction between Sn and Cu to form the intermetallic compound Cu6Sn5 at room temperature. To obtain the compressive stress gradient, a break of the protective oxide on the Sn surface is required because the free surface of the break is stress-free. Thus, spontaneous Sn whisker growth is unique that stress relaxation accompanies stress generation. One of the whisker challenging issues in understanding and in finding effective methods to prevent spontaneous Sn whisker growth is to develop accelerated tests of whisker growth. Use of electromigration on short Sn stripes can facilitate this. The stress distribution around the vicinity and the root of a whisker can be obtained by using the micro-beam X-ray diffraction utilizing synchrotron radiation. A discussion of how to prevent spontaneous Sn whisker growth by blocking both stress generation and stress relaxation is given.  相似文献   
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