Influence of heat treatment on tribological behaviors of novel wrought aluminum bronze

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＡｌｕｍｉｎｕｍｂｒｏｎｚｅｐｏｓｓｅｓｓｅｓｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｈｙｓｉｃａｌ,ｍｅｃｈａｎｉｃａｌａｎｄｔｒｉｂｏｌｏｇｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ .Ｉｔｉｓａｖａｉｌａｂｌｅｆｏｒｍａｋｉｎｇｗｅａｒ ｒｅｓｉｓｔｉｎｇａｎ     

纳米W-Cu粉末的均相沉淀法制备及其烧结性能

采用湿化学工艺--蒸氨均相沉淀法,制备了纳米CuWO4·2H2O/Cu2WO4(OH)2均相沉淀物,然后煅烧、还原,得到含Cu 30%的W-Cu复合粉.将该复合粉压坯在H2气氛中于不同温度下烧结后,对烧结体的微结构和物理、力学性能等进行了测试分析.实验结果表明:蒸氨均相沉淀法制备的W-Cu复合粉体具有纳米粒度和均匀的化学组成,其烧结活性高,在较低温度下烧结即可达很高的致密化程度.由上述W-Cu粉体所制备的烧结体具有良好的物理、力学性能.     

基于有限元分析的机床导轨热变形研究

高速高精度机床切削加工过程中,在多种热源的作用下导轨会产生热变形,影响工件与刀具间的相对位置,造成加工误差。找出导轨热位移较大的点,并分析其对加工精度的影响,对于减小加工误差提高加工精度至关重要。文章在对导轨热边界条件进行分析的基础上,应用有限元分析方法,建立了一类机床导轨的有限元热变形分析模型,并进行了热变形分析计算,为分析导轨的热变形对加工精度的影响提供了依据,并为机床综合热误差补偿提供参考。     

Fenton试剂处理苯酚和甲醛废水的研究

用H2O2同Fe^2 结合的Fenton试剂处理有机废水是一种经典的催化氧化法，这种方法适合于处理废水中高浓度、难降解的有机物质。主要研究了Fenton试剂处理含苯酚和甲醛有机废水样的反应机理和影响因素，试验结果表明：废水中苯酚和甲醛的去除率均可达到95％以上，COD去除率达到85％以上，表明用Fenton法处理含苯酚和甲醛的有机废水是一种非常有效的方法。     

雅砻江楞古水电站场址区宋玉断层活动性研究

楞古水电站位于区域构造复杂的雅砻江中游, 场址周边断裂构造较发育, 场址区内发育有较大的宋玉断层, 研 究其活动性对枢纽建筑布置和工程抗震设防措施均具有重要意义。在遥感解译的基础上, 通过野外验证和追踪调 查, 结合断层构造岩石英形貌扫描、 电子自旋共振(ESR) 测龄和近代地震震中分析, 确定了宋玉断裂的活动年代, 得 出了宋玉断层不属于工程活动断层的结论。     

单组分聚脲材料在寒冷地区某大坝溢流面防护中的应用

水利水电工程泄洪建筑物表面经常遭受高速含沙水流或携带推移质的冲刷,经过一段时间的运行,往往会出现不同程度的磨损及气蚀破坏,采用性能优越的水工混凝土抗冲耐磨材料修复和防护尤为重要。本文通过单组分聚脲材料性能试验揭示了材料的特点,介绍了其在新疆某大坝溢流面防护中的应用情况,其处理技术对类似工程具有良好的借鉴意义。     

交联剂DCP用量对POE硫化胶性能的影响

主要研究了聚烯烃弹性体(POE)的交联及补强后的力学性能情况,探讨了交联剂过氧化二异丙苯(DCP)的用量对POE力学性能的影响及其对POE硫化胶补强体系力学性能的影响.结果表明,DCP交联POE后,POE的主要力学性能都比未交联前有所下降;在用白炭黑、炭黑补强后,最佳DCP用量为2份.     

四唑嘧磺隆水分散粒剂在稻田环境中的残留动态

为评价除草剂四唑嘧磺隆在水稻上使用后的残留动态及环境安全性，在北京海淀区进行了50％四唑嘧磺隆水分散粒剂在水稻上的残留动态和最终残留试验研究。样品经丙酮提取抽滤后，再经液液分配及氧化铝柱净化、浓缩、定容后，用紫外检测器的液相色谱进行测定。其有效成分四唑嘧磺隆的最低检出量为0．02ng，在稻田水、土壤、鲜植株、稻壳、糙米样品中的平均回收率为82．4％-105．0％，变异系数为1．1％～14．1％，符合农药残留分析的要求。结果表明：四唑嘧磺隆在水稻植株上的半衰期为2．4d，在土壤巾的半衰期为5．5d，在稻田水中的半衰期为1．9d，施药后7d四唑嘧磺隆在水稻植株上的消解达到80％以上。50％四唑嘧磺隆水分散粒剂按80、120g／hm。使用，施药1次，收获时，四唑嘧磺降在糙米、稻壳、稻草、土壤中的残留量均未检出。     

金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

以氢气稀释的硅烷（SiH4）和硼烷（B2H6）为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.