维生素B3与水杨酸镧三元配合物的合成和表征

在控制条件下,将七水氯化镧、水杨酸与维生素B3(烟酸)三种物质一起反应,从溶液中析出一种新型丝状稀土化合物,采用元素分析、化学分析、红外光谱、紫外光谱、摩尔电导、热重分析等一系列方法对合成的配合物的结构与性质进行表征,发现烟酸吡啶环上的N原子和水杨酸的酚羟基均未参与配位,烟酸和水杨酸都是脱质子后以羧酸根与镧离子配位,其反对称伸缩振动峰和对称伸缩振动峰均夹在离子型和共价型配合物的同类特征峰之间,说明稀土与羧酸根的配位以离子性为主,兼有部分共价性。进而初步确定其组成为[La(C7H5O3)2(C6H4NO2).H2O]。     

基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究

开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器（SRAM）大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转（MCU）在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转（SBU）和MCU失效率（FIT）。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。     

冲击激励式压电俘能器的接口电路设计

设计了一种自供能同步非对称电压翻转及电荷提取电路(SP-SAFCE),其在压电俘能器电压正峰值完全翻转,在负峰值将能量完全提取,结合了并联同步开关电感电路和同步电荷提取电路的特点。相比于传统的压电接口电路,SP-SAFCE具有自供能的峰值检测模块和开关、无整流桥、无需阻抗匹配等优势。在拨动频率和磁铁间距离变化条件下进行对比实验,实验表明,在相同冲击激励下,SP-SAFCE电路的工作电压比同步电荷提取电路低0.8 V,输出功率约为同步电荷提取电路的1.15倍,适合作为冲击激励式压电俘能器的接口电路。     

γ-Fe NANO-POWDERS SYNTHESIZED BY LASER-PYROLYSIS

以SF_6为光敏剂,用CW CO_2激光诱导气相Fe(CO)_5热解反应,在室温下高效率地制备出了γ-Fe 纳米粒子(20—40nm),并对其进行了分析和表征研究。     

包装生态理论研究

提出了包装生态的概念,构造了包装生态理论的框架,论述了其特定内涵及其它的研究的经济价值与社会意义。     

轴流涡轮与排气壳扩压段一维耦合设计研究

为探究轴流涡轮耦合排气壳扩压段的一维设计变量选取规律,提高排气壳扩压段的性能,参考现有NRCC叶栅导叶模型,采用自编程序,结合理论分析构建轴流涡轮与排气扩压段耦合的一维设计模型。详细分析耦合设计中影响扩压段的静压恢复系数以及总体性能的因素。研究结果表明：扩压段面积比、平均倾角、扩张角以及壁面摩擦系数等设计参数不仅影响扩压段的静压恢复系数,也影响涡轮的气动效率;本研究模型在面积比为3.5、平均倾角为30°、扩张角δ为5°时整体性能最优;涡轮出口气流的马赫数、叶顶泄漏流以及出口旋流对扩压段的性能有很大影响,出口半径比的增大会使得静压恢复系数降低,因此在耦合设计时应充分考虑涡轮以上参数的选择。     

Effect of Seed Layer on the Orientation of Zinc Oxide Film on Silicon Substrate

1. IntroductionZinc oxide films have been attracting more and moreattention because of their high diffractive index, low resis-tance, and photoluminescence properties, and are beingused as transparent electrodes, basis material for opti-cal wave guide devices, gas sensors and so on. Manymethods have been developed to prepare ZnO films, suchas chemical vapor deposition[1], reactive evaporation[2],pulsed laser ablation[3], sputtering[4], spray pyrolysis[5]and hydrothermal method[6]. There are a…     

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析

利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。     

天然气置换后铸铁管承插接口漏气对策

分析了天然气置换人工煤气后铸铁管道承插接口漏气原理,介绍了4种解决方案:管道更换、PE管内衬、接口修补及燃气加湿,对其进行了技术经济比较。