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81.
短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状,介绍了接收机的重要组成部件:混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状,给出了接收机的最新性能指标。 相似文献
82.
Zheng Ming College of Biology Environment Engineering Jiangsu University Zhenjiang ChinaChen Chi Shanghai University 《机械工程学报(英文版)》2002,15(4):328-333
From basic equations of gas-liquid, solid-liquid, solid-gas two-phase flow, the calculating method on flow transients of two-phase flow is developed by means of characteristic method. As one example, a gas-liquid flow transient is calculated and it agrees well with the experimental result. It is shown that the method is satisfactory for engineering demand. 相似文献
83.
84.
Novel molecular material ,1-benzothiazoly-3-pheny1-pyrazoline (BTPP) was found to function as bright blue light emitting dye in organic electroluminescent device, and its optical and electric characteristics were investigated. This heterovyclic compound exhibited good characteristics of blue photoluminescence and electroluminescence,which had the emission peak at 450nm .The single layer light-emitting devices using BTPP as light -emitting material dispersed in poly(N-vinylcarbazole)(PVK) and double layer ones using PBD as hole block layer above the light-emitting layer were fabricated using conventional spin-casting and vaccum vapour deposition methods. The introduction of PBD has enhanced electron injection and luminance efficiency, compared with the single layer LEDs. 相似文献
85.
纳米二氧化钛的表面修饰与应用的研究进展 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了纳米二氧化钛表面修饰的两种主要方法:无机和有机表面包覆,以及进行修饰后的纳米二氧化钛的应用. 相似文献
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88.
89.
硅烷交联超高分子量聚乙烯 总被引:7,自引:0,他引:7
采用硅烷对超高分子量聚乙烯(UHMWPE)进行交联改性,系统地研究了交联UHMWPE的凝胶率、熔点、结晶度、力学性能与耐磨性。结果表明,硅烷偶联剂导致了UHMWPE的交联,使UHMWPE的凝胶率提高。当硅烷含量较低时,UHMWPE的熔点增高、结晶度增大;当硅烷含量较高时,UHMWPE的熔点、结晶度呈下降的趋势;硅烷交联导致了UHMWPE材料的模量和强度提高,磨耗率降低;当硅烷含量较高时,交联UHMWPE材料的力学性能和磨耗率均变差;当硅烷含量为0.2份~0.4份时,交联UHMWPE材料的综合性能最佳。 相似文献
90.
Han-Jun Oh Jong-Ho Lee Hong-Joo Ahn Yongsoo Jeong Chang-Hoe Heo Choong-Soo Chi 《Journal of Electroceramics》2006,17(2-4):369-373
The characteristics and growth behaviors of alumina dielectric layer formed by anodic oxidation were investigated. The aluminum oxide layer anodized at 400 V was predominantly amorphous alumina, but at the applied potentials more than 500 V, amorphous and crystalline γ-alumina were existed in anodic oxide layer and the ratio of γ-alumina increased with the increasing applied potential. During the heat treatment at 600°C or higher temperature, amorphous alumina layer was transformed into the crystalline γ-alumina. The phase transition of anodic amorphous alumina into crystalline depends on anodic applied potentials and heat-treatment temperatures. 相似文献