立交桥桥台桩基托换基坑支护设计与监测

以郑州市中州大道黄河路立交桥匝道F26号桥台桩基托换工程基坑支护为例,提出了一种明挖和暗挖相结合的施工方案,及采用土钉墙喷锚、钻孔灌注桩和内支撑相结合的复合支护结构。采用远程自动化监测和人工监测相结合的数据监测方式,对支护结构进行实时数据监测。支护效果表明:支护结构和施工方案合理,边坡和周边地表变形得到有效控制,包含暗挖通道在内的基坑周边地表最大沉降为12 mm,最大水平位移为13 mm,均小于规范中规定的控制值;在整个施工过程中,基坑周边及上部道路交通未受到较大影响;数据监测系统为安全施工提供了参考,使得整个工程顺利完成。     

江苏省耕地递减问题的数量经济分析

通过标准公顷、耕地供给质量化指数等同度量分析的方法，将千差万别的耕地放在能够同度量的参照系内．进行更趋合理的定量分析。本文首先利用标准公顷和标准公顷常数阐述了江苏省耕地面积递减的严重性．然后通过人均实际公顷和人均标准公顷的对比分析，剖析了江苏省人地关系紧张的内涵，利用耕地供给质量化指数揭示了江苏省耕地质量变化的趋势，最后依据江苏各市标准公顷、人均标准公顷和耕地的供给质量化指数．区分情况提出了有差别的区域耕地政策。     

电镀参数对电镀镍层性能的影响

采用脉冲电流方法制备电镀镍层,并利用扫描电镜、光学轮廓仪、硬度计等测试方法研究了电镀参数中的溶液温度和pH对电镀镍层的表面形貌、粗糙度、显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比的影响。结果表明:当镀液温度在45~60℃时,镀镍层表面形貌变化不大,但是随着镀液温度的升高和镀液pH的增大,粗糙度呈先减小后增大的趋势,显微硬度和SiC/Ni刻蚀选择比均呈先增大后减小的趋势。电镀液温度为55℃,pH在4.0~4.4时,可获得具有良好的质量、显微硬度且SiC/Ni刻蚀选择比的镍镀层。     

大气校正对几种MODIS植被指数影响的分析

利用NASA—ESE提供的算法和代码对EOS／MODIS进行大气校正计算,得到CHl-CH7的地面反射率．再分别用大气校正前后的表观反射率和地面反射率数据计算三种常见植被指数（RVI、NDVI、NDVIg）,分析三种植被指数在大气校正前后的变化以及与季节、地物类型之间的关系。指出大气校正并未完全抵消RVI中气溶胶的影响,但在绿度低值区补偿明显;而NDVI和NDVIg从整体上部分补偿了大气影响,在气溶胶较厚或使用绿通道（NDVIg）时必须进行大气校正。     

基于光学遥感成像模拟软件的伪装效果检测

通过分析以往伪装效果检测方法的不足,提出基于光学遥感成像模拟的伪装效果检测方法。采用ISODATA法对高分辨率卫星图像进行非监督分类,得到土地分类专题图,并在其上部署真目标及伪装目标,通过地物光谱数据库进行反射率转换,从而获得地面反射率图像;利用大气辐射传输软件MODTRAN对其进行大气修正,结合卫星遥感器辐射定标系数及传感器调制传递函数(MTF),最终得到卫星遥感器输出图像,对仿真过程中的输出图像进行分析,得到各种情巩下的发现概率。通过系统仿真结果表明,基于光学遥感成像仿真的方法可以为伪装效果检测提供一种有效的手段。     

基于TTL值异常的源地址伪造报文检测方法

提出了一种基于TTL值异常的源地址伪造报文检测方法,并实现了一个检测工具AntiSpoof,可以高效、高精度地检测源地址伪造报文。同时通过模拟实验对该方法的优缺点进行了分析。     

10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器

简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0．5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。     

铜离子对CMC浮选分离滑石和黄铁矿的影响

为实现黄铁矿和滑石更好地浮选分离,基于CMC对滑石抑制能力不强的弱点,在pH值为9的条件下,以CMC作为抑制剂,戊黄药作为捕收剂,探究了铜离子的加入对滑石和黄铁矿浮选的影响。结果表明,浮选过程中加入铜离子,在不影响黄铁矿浮选的情况下（浮选回收率90.8%）,有效的抑制了滑石的浮选（浮选回收率由57.07%降低到8.99%）。另外还对CMC和铜离子加药顺序做了探究,发现铜离子在CMC前加入不影响黄铁矿的浮选,但更有利于滑石的抑制。     

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试

对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。