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通过对 HL- 1M装置真空运行模式、真空运行参数、氦辉光放电清洗和硅化壁处理手段等的规范化 ,显著地改善了装置的真空壁出气、本底杂质浓度、托卡马克放电杂质出气比和再循环 ,成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电 ,并成功地为演证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验和升级等离子体运行等提供了良好的真空壁条件。描述了 HL- 1M装置真空系统、壁出气和再循环控制、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果 ,并为 HL- 2 A装置的真空系统研制和运行提供了有益的参考 相似文献
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WANG Si-Xue WANG Yu-Gang XUE Jian-Ming LIU Feng DU Guang-hua LU Gang YAN Sha ZHAO Wei-Jiang 《核技术(英文版)》2002,13(1):31-36
1 INTRODUCTIONThe new aPplications of low energy heavy ion beam in irradi4ted botanical materialswere studied in recellt yeaxs. The beaminduced mutation effect on crop seeds has causedthe attention of physicist and biologists.[1l:] FOr examPle, 1ow energy ions can induceremarkable mutation to rice seeds.[3] There are many special phenomena when heavyions bombard botanic sW1e due to its special structure. Some studies showed that tllepenetration depths of some ions were far larger than t… 相似文献
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设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的InGaAs雪崩光电二极管(APD)。器件直径为200μm,工作在21℃,1540nm波长时响应为0.64A/W,典型暗电流和噪声因子分别为30nA和6.5。介绍了该器件的工作原理,设计和制作工艺。 相似文献
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隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
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76.
LNG低温储罐的设计及建造技术 总被引:3,自引:1,他引:2
LNG低温储罐是液化石油天然气储运过程中的重要设施,其建造技术复杂,施工要求严格,在我国工程实例较少.文章介绍了LNG低温储罐的技术特点、罐体结构以及设计过程中应遵循的规范,阐述了LNG低温储罐在基础、罐壁、罐顶、保温层施工中的技术要求和检验中应注意的事项,对LNG低温储罐的设计施工提出了建议. 相似文献
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正交频分多址(OFDM:orthogonal frequency division multiplexing)技术由于其在多径环境下克服码间干扰的固有特点,在移动通信中已得到广泛地应用。利用阵列天线上行链路信号到达角估计实时信息,计算OFDM系统下行链路阵列天线权重,将阵列天线应用于下行链路中,最后给出系统误码率性能的计算机仿真结果。 相似文献
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为加快徐加固子深层天然气的勘探开发步伐,缩短深层气井的建井周期,在升深2-17井进行了充气钻井试验。介绍了络合铝聚合物充气钻井液技术的现场应用概况及效果以及井漏的发生与处理过程、钻井液起泡的解决措施。在现场试验过程中,络合铝聚合物钻井液性能稳定,具有较强的抑制性和较好的流变性能,流性指数控制在0.7左右,具有良好的携屑和稳定井壁能力,而且粘度较低,基本上控制在33~52s之间,满足了现场充气和脱气的需要;该钻井液抗温可达180℃,润滑性能较好,在钻井过程中无粘卡显示,在深井欠平衡井眼稳定方面取得了较好的效果;在不同的气液比条件下,可以在0.83~1.08g/cm。之间实现对当量密度的调节;与常规钻井工艺相比,充气钻井可以使机械钻速提高30%~50%;在钻进过程中实现了充气和点火同时进行,达到了欠平衡钻井工艺技术的要求,为进一步开展气体钻井打下了良好的基础。 相似文献
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较系统地介绍了我国第1条国产化的中宽带钢冷连轧生产线,即唐山建龙钢铁控股有限公司900mm冷连轧生产线的工艺流程、主要设备组成及技术特点。重点介绍了900mm 4机架六辊轧机的技术参数、性能特点及自动控制系统。该生产线投产以来,取得了较好效果。 相似文献
80.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献