火工品激光焊接封装技术分析

基于火工品封装对焊接技术的要求,提出了激光焊接技术并分析其特点;对目前激光焊接技术在火工品封装中的应用进行了举例说明,比较了激光焊接和电子束焊接的效果,并对激敏光焊接技术在火工品中的应用前景和存在的问题进行了分析.研究表明采用激光焊接技术可使火工品密封性得到提高,其在火工品封装中有广泛的应用前景.     

误码条件下Turbo码编码参数的盲识别

针对误码条件下的Turbo码的盲识别问题,提出了一种新的码流局域搜索的识别算法。该方法利用分量编码器中寄存器数量有限这一特点,建立了包含编码器结构的编码多项式库,从而通过快速搜索得到分量编码器的结构。仿真实验表明了该算法的正确性与有效性。     

普适的宽带路由器IPSec改造方案

网络安全性问题的日益突出迫切要求对现有普通宽带路由器进行支持IPSec的改造。以往的基于加密卡串接网络处理单元的改造方法导致资源利用率低、工程实现难度大及普适性差。文章提出了一种新的改造方案,能够利用宽带路由器的快通道实现加密数据包的高速传输,利用慢通道维护IPSec协议的运行及相关安全信息的下发,以一种母板结构普适地实现了对宽带路由器的高效IPSec改造。     

42CrMo钢激光淬火组织和硬度的研究

采用YLS-3000型光纤激光器对42CrMo钢进行表面熔凝淬火处理,通过金相显微镜、扫描电镜及维氏硬度计的观察与检测,分析淬硬层组织、硬度、深度及其与激光工艺参数之间的相互关系。结果表明,淬硬层深度随激光功率的增大和扫描速度的降低而增大,随激光功率的减小和扫描速度的增加而减小,而硬度的变化不大。激光熔凝淬火后表层出现深约0.3 mm的熔化区,其硬度比内侧稍低,淬硬层深度可达2 mm以上,硬度约为660HV,但熔化区域中心会出现不均匀的变形,进行熔凝淬火时需预留0.2 mm的加工余量。     

小药量含能材料热安全性判据总标准偏差的分析（英）

借助M(NTO)n·mH2O(M=Ba,n=1,m=3;M=Li,n=1,m=2;M=Ca,n=2,m=4;M=Na,n=m=1;M=Co,Mg,n=2,m=8;M=Ce,Pr,Gd,n=3,m=7;M=Tb,Dy,n=3,m=5;M=Y,Yb,n=3,m=6;NTO=3-nitro-1,2,4-triazol-5-one)的摩尔用量(a)、水溶液浓度(b)及由Calvet微热量计所得的溶解过程热效应(Q)和摩尔溶解焓(ΔdissH),得到了描述这些NTO金属配合物的微分溶解焓(ΔdifHmθ)、标准摩尔溶解焓[ΔdissHmθ(b=0)]、相对表观摩尔焓(ΔdissHapparent)、相对偏摩尔焓(ΔdissHpartial)和稀释焓(ΔdilH1,2)的5个经验式。     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

无线射频收发模块在远程测温系统中的应用

将无线收发模块与单片机系统相结合，实现远程测温系统。他采用集成温度传感器检测温度信号，通过射频发射模块及接收模块实现温度数据的传输，利用软件系统对传输的数据进行监控，提高系统的可靠性。     

一种适合PPM-UWB信号的时移TDT同步捕获算法

指出TDT(timingwithadirtytemplate)盲同步捕获算法只适于PAM调制(脉冲幅度调制)UWB系统,而不能在PPM调制(脉冲相位调制)UWB系统中应用。提出了一种TS-TDT(time-shift-TDT)盲同步捕获算法,解决了PPM调制UWB系统快速同步捕获问题。该算法通过两条相关支路分别计算接收信号的延迟互相关值而获得同步信息,无需训练序列。理论分析和仿真实验结果表明,该算法结构简单,同步精度灵活可变,性能良好。     

Er3+2.79μm激光器转镜调Q系统的特性分析

当YSGG、GGG、GSGG、YAG、YLF作为基质材料时,Er3+的4I11/2 能级和4I13/2 能级之间能够跃迁产生2.7~3μm的激光,该波段激光在医疗、军事等方面有着重要的应用价值。在790nm泵浦光作用下,Er:YSGG作为工作物质可产生2.79μm激光。通过构建Er:YSGG能级跃迁的速率方程,对转镜调Q激光器的系统特性进行了理论分析,并在此基础上进行数值模拟,得出了在给定激光工作物质参数的情况下,系统的各个变量对转镜调Q激光器性能的影响。这些结论将为类似实验的设计和改进提供理论指导。     

功率型GaN基LED静电保护方法研究

介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法.