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通过对MgO:LiNbO3参量过程温度相位匹配及走离角,允许参量等运转参数的理论计算与分析,确定了晶体的切割角度θ=82℃,以近非临界相位匹配(NCPM)取代NCPM,将温度调节范围控制在较低的温度上,研制了532nm泵浦的MgO:LiNbO3温度调谐脉冲光学参数振荡器(OPO),在800~1700nm波段实现连续调谐输出。参量泵浦功率密度阈值为57.3MW/cm^2,泵浦能量约2倍阈值处,单谐振(SRO)参量转换效率为11%以上。 相似文献
144.
145.
为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光SQS模式下,提高其能量分辨以及线性等指标,用Ar,CO2,Lsobutane三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究,找出了一适合于主雇地数器的工作气体,此外,还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。 相似文献
146.
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148.
Phase-separated domains prepared in the two-phase region were dissolved at a temperature in the single-phase region, and their dissolution dynamics was studied by using the time-resolved light scattering (TRLS) technique and a scanning electron microscope (SEM). The time tps of preparation of domains was chosen to be long enough for phase separation to proceed into the late stage. The scattered light intensity at small wavenumbers increased before it attenuated. As tps increased, the increase at smaller wavenumbers became more significant and the peak intensity decreased only slightly with dissolution time. The characteristic wavenumber qm evaluated from TRLS and SEM followed the power-law relation qmt−0.3. 相似文献
149.
Quantitative x-ray diffraction topography techniques have been used to measure the residual strain magnitude and uniformity
of deposition for Mo and W sputtered films on Si(100) substrates. High sensitivity rocking curve measurements were able to
determine differential strains for films as thin as 2.5 nm; while Bragg angle contour mapping had similar sensitivity and
was also able to assess coating uniformity and stress distribution over areas covering a whole wafer. Measurements of strain
versus film thickness over a range of 2.5 nm to 80 nm showed that a critical thickness exists for maximum residual strain.
Growth beyond this range produces stress relaxation. This non-destructive type of analysis could be employed on a wide range
of film-substrate combinations. 相似文献
150.