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991.
992.
介绍DZX-2B综合实验装置的组成、常见故障,及如何快速、准确的判断并排除故障的方法。 相似文献
993.
994.
A. S. Anishchenko Yu. V. Feofanov A. B. Bogun 《Chemical and Petroleum Engineering》1992,28(11):693-695
Translated from Khimicheskoe i Neftyanoe Mashinostroenie, No. 11, pp. 33–35, November, 1992. 相似文献
995.
996.
997.
Efficiency improvement of near-ultraviolet InGaN LEDs using patterned sapphire substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
Woei-Kai Wang Dong-Sing Wuu Lin S.-H. Han P. Horng R.-H. Ta-Cheng Hsu Huo D.T.-C. Ming-Jiunn Jou Yuan-Hsin Yu Lin A. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2005,41(11):1403-1409
The use of conventional and patterned sapphire substrates (PSSs) to fabricate InGaN-based near-ultraviolet (410 nm) light-emitting diodes (LEDs) was demonstrated. The PSS was prepared using a periodic hole pattern (diameter: 3 /spl mu/m; spacing: 3 /spl mu/m) on the (0001) sapphire with different etching depths. From transmission-electron-microscopy and etch-pit-density studies, the PSS with an optimum pattern depth (D/sub h/=1.5 /spl mu/m) was confirmed to be an efficient way to reduce the thread dislocations in the GaN microstructure. It was found that the output power increased from 8.6 to 10.4 mW, corresponding to about 29% increases in the external quantum efficiency. However, the internal quantum efficiency (@ 20 mA) was about 36% and 38% for the conventional and PSS LEDs, respectively. The achieved improvement of the output power is not only due to the improvement of the internal quantum efficiency upon decreasing the dislocation density, but also due to the enhancement of the extraction efficiency using the PSS. Finally, better long-time reliability of the PSS LED performance was observed. 相似文献
998.
创业资源是创业的基础,创业过程的规律性和市场配置资源的基础作用影响和决定中小企业创业资源的内在功能和形成方式。对中小企业资源的形成机制进行了分析探讨,并分析了它们之间的内在关系。 相似文献
999.
虚拟仪器在教学中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
主要介绍了Multisim2001中虚拟仪器库中函数发生器、示波器的使用方法及功能;并在Multisim2001环境中仿真单管放大电路、桥式整流滤波电路。由调试结果,分析了其在教学中应用的可行性。 相似文献
1000.