基于MPC860处理器的双PCMCIA以太网口实现

MPC860芯片因其丰富的按口和强大的通信处理能力而被广泛应用于通信领域。但是，它不能直接扩展出两个以上的10／100Mbps自适应以太网口，限制了应用。该文分析了实现中的关键问题，提出一种基于其PCMCIA接口扩展的双100Mbps以太网接口的实现方案。     

熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4引起的 Fe-Cr 合金的热腐蚀

本文采用电化学方法研究了 Fe-Cr 合金在800℃、熔融 NaCl-(Na,K)_2SO_4中的腐蚀行为,并对腐蚀产物进行了观察和分析。结果表明,提高合金 Cr 含量可以改善合金耐蚀性能。氧化-硫化是Fe5Cr、Fe10Cr 合金腐蚀破坏的主要方式;氧化膜的熔融反应是 Fe20Cr、Fe25Cr 合金加速腐蚀的主要原因。同时,氧化膜的机械破裂也加速了合金的腐蚀。     

高温稀土永磁Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17 的制备和性能

制备了高温稀土永磁材料Sm(Coba1Fe0．26Cu0．05Zr0．026)7．0，研究了磁性能与工艺条件的关系．结果表明：提高烧结温度可使材料的Br和(BH)max增大，但是使Hci降低；适当提高真空预烧温度，可使材料在较低烧结温度下致密化，具有较高的Hci和(BH)max和温度稳定性．真空预烧温度过高使性能的急剧降低，其主要原因是Sm的析出．在最佳工艺条件下材料的磁性能参数分别为：Br1．08T3Hci2286kA／m，Hcb932kA／m，(BH)max220．8kJ／m^3；β20-200℃为-0．19％／℃．     

mc-Si:H/c-Si solar cell prepared by PECVD

Hetero-junction solar cells with an mc-Si:H window layer were achieved. The open voltage is increased while short current is decreased with increasing the mc-Si:H layer's thickness of emitter layer. The highest of V oc of 597 mV has obtained. When fixed the thickness of 30 nm, changing the N type from amorphous silicon layer to micro-crystalline layer, the efficiency of the hetero-junction solar cells is increased. Although the hydrogen etching before deposition enables the c-Si substrates to become rough by AFM images, it enhances the formation of epitaxial-like micro-crystalline silicon and better parameters of solar cell can be obtained by implying this process. The best result of efficiency is 13.86% with the V oc of 549.8 mV, J sc of 32.19 mA·cm-2 and the cell's area of 1cm2.     

P-channel Ge/Si Hetero-nanocrystal Based MOSFET Memory

The charge storage characteristics of P-channel Ge/Si hetero-nanocrystal based MOSFET memory has been investigated and a logical array has been constructed using this memory cell. In the case of the thickness of tunneling oxide T_ox=2nm and the dimensions of Si- and Ge-nanocrystal D_Si=D_Ge=5nm, the retention time of this device can reach ten years(~1×10~8s) while the programming and erasing time achieve the orders of microsecond and millisecond at the control gate voltage |V_g|=3V with respect to N-wells, respectively. Therefore, this novel device, as an excellent nonvolatile memory operating at room temperature, is desired to obtain application in future VLSI.     

氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性研究

测试了氧化锌颗粒膜电阻响应-恢复特性，讨论了颗粒形态，加热电压、环境气氛、气氛浓度和注入方式等因素对电阻响应-恢复特性的影响。结果表明，随着加热电压的升高，电阻响应-恢复的速度和程度明显加大；断续注入时颗粒膜电阻值的响应随着浓度的增加逐步减弱．     

基于MAX6361的掉电保持电路的设计

三星公司推出的微处理器S3C44BOX在嵌入式系统中得到了广泛应用．本文提出了由S3C4480X．IS62WV25616BLL和MAX6361组成的掉电保持电路的设计原理．重点介绍了MAX6361微处理器监控电路的工作特性。此电路可实现电源监控．处理器复位、电源自动切换及掉电时的数据保持等功能。     

可靠性预计方法及思考

本文介绍了可靠性预计的目的,并对当前较为常见的可靠性预计模型或方法做了比较和说明,也对造成可靠性预计局限性的原因做了分析,最后对在可靠性工程工作中对待可靠性预计的态度做了探讨.     

基于VHDL实现单精度浮点数的加／减法运算

研究了单精度浮点数加／减法的结构及其设计方法，并在Aldec公司的Active—HDL软件环境下，采用VHDL语言进行设计，并进行了仿真验证，计算精度可以达到10^-7。