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查健江 《光纤与电缆及其应用技术》2004,1(4):14-19
人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年,但实际生产过程中,很多因素都会影响沉积速率和效率。为此我们通过试验,研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素,如预制棒表面温度、SiCl4流量和SiO2颗粒的温度等。 相似文献
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对具有结构不稳定性的有源滤波器的非线性问题进行了研究,通过对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件开关过程产生的瞬态电流脉冲的传播过程进行分析,将IGBT器件的控制电压引起的结构稳定问题的抑制转化为该瞬态电流脉冲传播通路的阻断。利用仿真和实验对正激式与反激式开关变换器进行抗干扰能力的研究,说明反激式开关变换器用于有源电力滤波器(APF)的辅助开关电源,更有利于APF对非线性问题的抑制。 相似文献
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提出了一种新的、基于声表面波的纸基微流开关。通过软光刻技术制作内含两个微孔的聚二甲基硅氧烷(PDMS)微架,其上固定经折叠、长度可变的纸通道。PDMS微架贴附于压电基片之上,并在待连接的两微通道之下方,折叠纸通道最低端离压电基片间距为2 mm。压电基片上采用微电子工艺光刻一对叉指换能器和反射栅。当足够强度的电信号加到叉指换能器对时,激发两相向声表面波,使得压电基片上微流体输运到折叠纸通道,改变其长度,连接其上待连通的两纸基微通道,完成开关功能。对可编程微流器件提供了一种新的编程和开关控制方法。 相似文献
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绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。由于器件内部的性能差异和外围电路参数不一致等,引起IGBT模块之间电压不均衡问题,威胁其运行安全。综述了国内外IGBT串联均压方法的发展及其研究现状。根据均压方法机理的不同,将IGBT串联均压方法分为被动均压方法和主动均压方法两种,进一步将主动均压方法归纳为无源控制方法和有源控制方法两类。根据各类方法的基本电路拓扑分析了均压原理,梳理了不同方法在电路拓扑、参数选择和控制策略等方面的优化和最新进展。通过均压效果、附加损耗和可靠性等多方面对不同均压方法进行对比,被动均压方法拓扑简单不需外加控制电路更适合在低频应用场合,在高频应用场合中,准有源栅极控制法以单驱动与无源器件相结合的方式,具有良好的发展前景。最后对IGBT串联均压方法进行了展望。 相似文献